ICP 刻蝕機 ：高密度等離子蝕刻裝置NE-550

特點：

等離子密度與向基板入射的能量能夠單獨控制，因此Process window寬。

均一性好。

離子性蝕刻到radical性蝕刻都能都大幅度控制。

構造簡單，維護性能*。

來自半導體技術研究所的工藝支持體制。

CS（Customer’s Support ）解決方案的綜合服務體制。

可選Cassette室，提高生產量。

豐富的Process Application：

1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁場ICP型

2.ISM是可以由低電源得到穩(wěn)定均一的放電，達到Damage少的蝕刻。

3.使用不揮發(fā)性材料的次時代memory‐Al2O3,磁性體，Pt, Ir, PZT, SBTO 等

4.超高頻率器件，光器件。

‐絕緣膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO

5.各種傳感器器件等Photo Nic結晶。

6.MEMS(micromachine）