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Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤
某薄膜磁盤制造采用Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤, 去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.
Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 技術(shù)參數(shù):
Model | MEL3100 | Main body | |||
Wafer size | 3"～6" | Power | AC200V 3ph 40A | ||
Wafer per batch | 1 wafer | *two lines | |||
Cassette | No. | 25 wafers | Cooling | 15 (l/min) | |
Q'ty | 1pc. | <20℃ | |||
Throughput | 10 (wafer/hr) *1 | CDA | 0.5 (MPa) | ||
Pressure | Ultimate | 8×10-5 (Pa) *2 | >10 (l/min) | ||
Process | 2×10-2 (Pa) *2 | N2 | 0.2 (MPa) | ||
Etching | Rate | >10 (nm/min)@SiO2 *3 | >40 (l/min) | ||
Uniformity | ±5%@132mm (6") *3 | Ar | 0.2 (MPa) | ||
Wafer surface temp. | <100℃ *3 | 20 (sccm) | |||
Stage rotating | 1～20 (rpm) ±5% | He | 0.2 (MPa) | ||
Stage tilting | ±90°±0.5° | 20 (sccm) | |||
Dimension | Main body | 1,600×2,175×1,900 | *need additional utilities | ||
Controller | 640×610×1,900 | ||||
Chiller | 555×515×1,025 | ||||
Weight (kg) | Main body | 1,700 | |||
Controller | 200 | ||||
Chiller | 100 | ||||
*1: Estimated process time 5min | |||||
*2: No wafer on stege / process chamber | |||||
*3: Depending on process | |||||
Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量
2. 盒式房間采用高效微粒過濾器
3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率
4. 占用空間小
5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人
6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上
7. 高冷卻效果
8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)
9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好
10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具
該 Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
射頻離子源型號(hào) | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
運(yùn)行結(jié)果:
1. 有效去除濺射沉積時(shí)帶來的污染物
2. 提高了薄膜磁盤的均勻度
3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生
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