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          晶圓單面拋光的裝置及方法

          來源:廣州萬智光學技術(shù)有限公司   2024年12月12日 09:45  

          晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,以下是對其詳細的介紹:


          一、晶圓單面拋光裝置

          晶圓單面拋光裝置通常包含以下關(guān)鍵組件:


          工作臺:作為整個拋光裝置的基礎(chǔ),用于支撐和固定其他組件。工作臺下方通常設(shè)置有伺服電機,用于提供拋光過程中的動力。

          控制電箱:用于控制拋光裝置的各項參數(shù)和功能,確保拋光過程的穩(wěn)定性和準確性。

          轉(zhuǎn)盤:放置在工作臺的開槽上,轉(zhuǎn)盤下方固定連接有轉(zhuǎn)軸,伺服電機轉(zhuǎn)動連接著轉(zhuǎn)軸,以驅(qū)動轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)盤上方設(shè)置有拋光墊,用于與晶圓接觸并進行拋光。

          拋光墊:覆蓋在轉(zhuǎn)盤上方,與晶圓直接接觸,起到拋光和研磨的作用。拋光墊的材質(zhì)和硬度對拋光效果有重要影響。

          晶圓夾持裝置:用于固定待拋光的晶圓,確保晶圓在拋光過程中不會移動或脫落。晶圓夾持裝置通常設(shè)置在拋光墊上,與拋光墊之間留有一定的間隙,以便拋光液能夠均勻分布在晶圓表面。

          支撐裝置:設(shè)置在拋光墊中部,用于支撐晶圓并防止其在拋光過程中因受力不均而變形。

          拋光液噴灑裝置:用于向拋光墊和晶圓表面噴灑拋光液,以提供必要的拋光介質(zhì)和化學反應(yīng)環(huán)境。拋光液的種類和濃度對拋光效果有重要影響。

          沖洗裝置:用于在拋光結(jié)束后對晶圓進行沖洗,以去除殘留在晶圓表面的拋光液和雜質(zhì)。


          二、晶圓單面拋光方法

          晶圓單面拋光方法通常包括以下步驟:


          固定晶圓:使用晶圓夾持裝置將待拋光的晶圓固定在拋光墊上,確保晶圓與拋光墊之間緊密接觸。

          噴灑拋光液:通過拋光液噴灑裝置向拋光墊和晶圓表面均勻噴灑拋光液。拋光液的種類和濃度應(yīng)根據(jù)晶圓材質(zhì)和拋光要求進行選擇。

          啟動拋光:啟動伺服電機,驅(qū)動轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)。同時,晶圓夾持裝置可繞自身軸線旋轉(zhuǎn),以確保晶圓表面均勻拋光。在拋光過程中,拋光墊和晶圓之間產(chǎn)生相對運動,拋光液中的磨料顆粒和化學成分共同作用,去除晶圓表面的不平整部分。

          監(jiān)控拋光過程:通過實時監(jiān)控拋光墊上面的顏色差異來判斷拋光工藝進行的程度。當拋光達到預定要求時,停止拋光。

          沖洗和干燥:使用沖洗裝置對拋光后的晶圓進行沖洗,以去除殘留在晶圓表面的拋光液和雜質(zhì)。然后,將晶圓進行干燥處理,以備后續(xù)工序使用。

          此外,還有一些其他的方法可以提高晶圓單面拋光的效率和質(zhì)量,如采用拋光墊材料、優(yōu)化拋光液配方、調(diào)整拋光參數(shù)等。這些方法可以根據(jù)具體需求和實驗條件進行選擇和優(yōu)化。


          總的來說,晶圓單面拋光裝置及方法對于半導體制造行業(yè)具有重要意義。通過不斷改進和優(yōu)化拋光裝置和方法,可以提高晶圓的拋光效率和質(zhì)量,為半導體器件的制造提供有力支持。


          三、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

          高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總指示讀數(shù),STIR(Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等這類技術(shù)指標。




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          高通量晶圓測厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片,一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。


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          1,靈活適用更復雜的材料,從輕摻到重摻 P 型硅 (P++),碳化硅,藍寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。


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          重摻型硅(強吸收晶圓的前后表面探測)


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          粗糙的晶圓表面,(點掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測方案,不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響,因而對測量粗糙表面晶圓)


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          低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過對偏振效應(yīng)的補償,加強對低反射晶圓表面測量的信噪比)


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          絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時測量多層結(jié)構(gòu),厚度可從μm級到數(shù)百μm 級不等。 


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          可用于測量各類薄膜厚度,厚度低至4μm ,精度可達1nm。


          1,可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在復雜工作環(huán)境中抗干擾能力強,一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴,成本顯著降低。


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          2,靈活的運動控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。


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