磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細分析：

一、磨料形貌的影響

磨料形貌是研磨過程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關鍵因素之一。金剛石磨料因其高硬度和耐磨性，是研磨4H-SiC晶片的常用材料。磨料的形狀、大小和分布都會影響研磨過程中的材料去除速率和晶片的表面質(zhì)量。

材料去除速率：磨料的形狀和大小直接影響其與4H-SiC晶片表面的接觸面積和接觸壓力。具有銳利邊緣和較大尺寸的磨料能夠更有效地切入晶片表面，從而提高材料去除速率。然而，過高的材料去除速率可能導致晶片表面產(chǎn)生過多的劃痕和損傷。

晶片表面質(zhì)量：磨料的形貌還會影響晶片的表面粗糙度和面型精度。形狀不規(guī)則或尺寸過大的磨料可能導致晶片表面出現(xiàn)不平整和劃痕。相反，形狀規(guī)則、尺寸適中的磨料能夠產(chǎn)生更均勻的材料去除效果，從而獲得更好的表面質(zhì)量。

二、分散介質(zhì)的影響

分散介質(zhì)在研磨過程中起著將磨料均勻分散到研磨液中并穩(wěn)定懸浮的作用。常見的分散介質(zhì)包括水基體系和乙二醇體系等。

水基體系：水基體系研磨液具有較高的Zeta電位*對值，有助于磨料的均勻分散。此外，水的高導熱系數(shù)有利于控制研磨過程中的盤面溫度，防止因溫度過高而導致的晶片損傷。然而，水基體系研磨液可能受到水質(zhì)和雜質(zhì)的影響，導致研磨效果不穩(wěn)定。

乙二醇體系：乙二醇體系研磨液的Zeta電位*對值較小，磨料易發(fā)生團聚現(xiàn)象。這增加了研磨過程中磨料的切入深度，導致晶片的材料去除速率提高。然而，團聚的磨料也可能導致晶片表面產(chǎn)生更深的劃痕和損傷。此外，乙二醇體系研磨液的粘度較高，可能影響研磨液的流動性和研磨效率。

三、綜合考慮

在實際研磨過程中，需要綜合考慮磨料形貌和分散介質(zhì)的影響，以獲得良好的研磨效果。選擇合適的磨料形狀、大小和分布以及適當?shù)姆稚⒔橘|(zhì)和研磨液配方，可以優(yōu)化研磨過程中的材料去除速率和晶片表面質(zhì)量。同時，還需要根據(jù)具體的研磨工藝和設備條件進行調(diào)整和優(yōu)化，以實現(xiàn)良好的研磨效果和經(jīng)濟性。

綜上所述，磨料形貌及分散介質(zhì)對4H-SiC晶片研磨質(zhì)量具有重要影響。通過優(yōu)化磨料形貌和分散介質(zhì)的選擇以及研磨工藝參數(shù)的設置，可以獲得高質(zhì)量的4H-SiC晶片。

四、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標；

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。 

可用于測量各類薄膜厚度，厚度薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

1，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在復雜工作環(huán)境中抗干擾能力強，一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。