XWS寬帶等離子體光源 參考價：面議
這款寬帶等離子體光源XWS是激光泵浦等離子體超亮度光源,輸出光譜范圍180nm ~2500nm,輸出光功率高達40W,可替代傳統(tǒng)氣體放電光源（如氙燈、氘燈、鎢燈...
等離子體芯片開封機 參考價：面議
這款等離子體芯片開封機利用大氣微波等離子體針產(chǎn)生的氧氣等離子體分解IC封裝模塑實現(xiàn)IC封裝脫封和開帽。
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是為等離子化學(xué)蝕刻系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計的反應(yīng)離子蝕刻RIE和ICPCVD系統(tǒng),將反應(yīng)離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子...
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術(shù)專業(yè)為介質(zhì)膜鍍膜設(shè)計的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
離子體灰化蝕刻系統(tǒng) 參考價：面議
等離子體灰化蝕刻系統(tǒng)e3600采用zuixin的光刻膠去除技術(shù),為去除晶圓光刻膠提供高效方案?？梢栽诓桓淖冇布那闆r下同時處理不同尺寸的晶圓。
科研型原子層沉積系統(tǒng),picosun公司ALD系統(tǒng) 參考價：面議
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術(shù),熱壁設(shè)計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有...
ALD系統(tǒng),共形導(dǎo)電薄膜,原子層沉積 參考價：面議
ALD系統(tǒng)AT410提供了用于3D樣品制備的共形導(dǎo)電薄膜解決方案，同時還提供了目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng)2D涂層。
COVAP物理氣相沉積系統(tǒng),PVD系統(tǒng) 參考價：面議
COVAP物理氣相沉積系統(tǒng)為許多工藝應(yīng)用提供緊湊、經(jīng)濟、但仍然穩(wěn)健的PVD解決方案。
離子束沉積系統(tǒng),離子shu沉積濺射鍍膜 參考價：面議
離子束沉積系統(tǒng)IBD采用真空沉積工藝，使用直接聚焦在濺射靶上的寬束離子源實現(xiàn)離子束沉積濺射鍍膜。然后，來自靶材的濺射材料沉積在附近的襯底上形成薄膜。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng),EB-4P電子shu沉積系統(tǒng) 參考價：面議
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)EB-4P也是電子束沉積系統(tǒng),有四個容量不同的袖珍坩堝和各種電源,可以添加熱阻源或直流和射頻濺射或蝕刻。
反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),等離子體反應(yīng)li子蝕刻機 參考價：面議
反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)???????RIE600W是一款進口等離子體反應(yīng)離子蝕刻機,用于各向同性蝕刻,蝕刻氧化物、氮化物、聚合物等薄膜。
感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),ICP-RIE蝕刻系統(tǒng) 參考價：面議
???????感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)ICPRIE由射頻電源感應(yīng)產(chǎn)生等離子體,以產(chǎn)生各向異性蝕刻。在基本ICP-RIE蝕刻系統(tǒng)中，射頻直接連接到用作電極的樣品臺...
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準器,VNA自動校準儀 參考價：面議
該矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準器模塊通過USB或5.5 DC連接器通電，并通過USB或LAN與VNA進行通信，通過一個啟動按鈕，可通過VNA的四端口校準完成一個端口。
高級等離子體表面處理系統(tǒng),表面活化增強 參考價：面議
高級等離子體表面處理系統(tǒng)NEBULA是為器件等離子體處理設(shè)計的大型等離子體處理機器,離子體表面處理系統(tǒng)NEBULA用于等離子體清潔、附著力改善,等離子體表面活化...
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