目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>半導體微電子設備>>等離子體處理>> FPSEM-icp200e電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)是為等離子化學蝕刻系統(tǒng)應用設計的反應離子蝕刻RIE和ICPCVD系統(tǒng),將反應離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學刻蝕模式相結(jié)合.
該電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)充分利用了半導體、電介質(zhì)和金屬薄膜受控等離子體刻蝕工藝的所有必要特性。它適用于氯和氟化學。STE ICP200E允許兩種類型的等離子體激發(fā)：電容（冷卻基板電極）和電感（平面螺旋ICP電極）。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)改進的小反應器容積和優(yōu)化的供氣系統(tǒng)可以顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性，并縮短泵送時間。更新的反應器是最佳的蝕刻配方與快速變化的工藝氣體（博世過程）。由于可以方便地訪問所有內(nèi)部組件，因此系統(tǒng)的日常維護變得更加容易。特殊的底部電極設計為蝕刻工藝提供高效的氦冷卻和晶圓溫度控制。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)允許在較寬的工藝參數(shù)窗口內(nèi)，將反應離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學刻蝕模式相結(jié)合。射頻發(fā)生器自動匹配，從而確保穩(wěn)定的等離子燃燒模式在廣泛的功率值范圍內(nèi)。系統(tǒng)設計為其配置提供了解決單個客戶任務的廣泛機會。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應器中的極限壓力:<5×10
-6Torr
一次性處理晶圓數(shù)量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
RIE反應器最大功率：600W @13.56MHz
ICP發(fā)生器最大功率：1200W @13.56MHz
晶圓冷卻溫度范圍：-30℃~80℃
達到預處理真空的時間（<5×10^-6Torr）: 不超過25min
磁控管源的最大數(shù)量：5×∅200mm 或 6×∅150mm
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-2% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉(zhuǎn)移到反應器中。
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