它實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)性的高真空基本Sputter - 可以生產(chǎn)1Batch/900EA以上的產(chǎn)品，以沉積及Sputter工序的最佳化，提升EMI莫品質(zhì) - 證明“沉積-Sputter-沉積-Sputter”的工序連接的優(yōu)秀性（Zero Defects化），因精密的機(jī)器設(shè)置及優(yōu)秀的設(shè)備耐用性保持，維護(hù)周期長(zhǎng)，價(jià)格便宜。與現(xiàn)有材料相比，自行開發(fā)的材料(Target)以相對(duì)較低的成本提高了薄膜質(zhì)量 - Target效率及Arching等的控制功能改善

部件鍍膜設(shè)備，特別是采用高真空濺射（Sputtering）技術(shù)的設(shè)備，在實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、高效率的生產(chǎn)方面扮演著關(guān)鍵角色。這種設(shè)備通過(guò)優(yōu)化沉積和濺射工序，不僅提高了生產(chǎn)效率，還顯著提升了產(chǎn)品的EMI（電磁干擾）屏蔽質(zhì)量。以下是對(duì)您描述的設(shè)備特性和優(yōu)勢(shì)的詳細(xì)解析：

1. 高真空基礎(chǔ)與高效率生產(chǎn)：

• 設(shè)備建立在高真空環(huán)境下工作，這是保證薄膜質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性的基礎(chǔ)。高真空減少了氣體分子對(duì)鍍膜過(guò)程的干擾，使得薄膜更加均勻、致密。

• 能夠?qū)崿F(xiàn)1 Batch/900EA以上的生產(chǎn)能力，這表明設(shè)備具有生產(chǎn)效率和吞吐量，適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)需求。

2. 沉積與濺射工序的優(yōu)化：

• 通過(guò)“沉積-Sputter-沉積-Sputter”的工序連接，設(shè)備實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的精細(xì)控制。這種多層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)有助于提高EMI屏蔽效果，同時(shí)減少缺陷，實(shí)現(xiàn)“Zero Defects”的目標(biāo)。

• 工序的優(yōu)化還體現(xiàn)在對(duì)沉積速率、濺射能量等參數(shù)的精確控制上，確保了薄膜質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。

3. 精密的機(jī)器設(shè)置與優(yōu)秀的耐用性：

• 設(shè)備采用精密的機(jī)械設(shè)計(jì)和制造，確保了各部件之間的精確配合和穩(wěn)定運(yùn)行。這不僅提高了設(shè)備的加工精度，還延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。

• 優(yōu)秀的耐用性使得設(shè)備的維護(hù)周期更長(zhǎng)，降低了維護(hù)成本和停機(jī)時(shí)間，提高了整體的生產(chǎn)效率。

4. 自行開發(fā)的材料（Target）：

• 與現(xiàn)有材料相比，自行開發(fā)的Target材料以相對(duì)較低的成本提高了薄膜質(zhì)量。這得益于對(duì)材料成分、結(jié)構(gòu)和性能的深入研究，以及對(duì)濺射過(guò)程的精確控制。

• Target效率的提高意味著在相同時(shí)間內(nèi)可以沉積更多的薄膜材料，從而提高了生產(chǎn)效率。同時(shí)，對(duì)Arching等不良現(xiàn)象的控制功能也得到了改善，進(jìn)一步保證了薄膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

5. 價(jià)格優(yōu)勢(shì)：

• 盡管設(shè)備在性能上達(dá)到了很高的水平，但其價(jià)格卻相對(duì)較為合理。這得益于技術(shù)的不斷進(jìn)步和生產(chǎn)成本的降低，使得更多的企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)能夠承擔(dān)得起這樣的設(shè)備投資。

綜上所述，這種部件鍍膜設(shè)備以其高效的生產(chǎn)能力、優(yōu)化的工序設(shè)計(jì)、精密的機(jī)器設(shè)置、優(yōu)秀的耐用性以及自行開發(fā)的低成本高質(zhì)量材料等優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體、電子、航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。