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        1. 上海恒光智影醫(yī)療科技有限公司
          初級會(huì)員 | 第1年

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          可變外周配體供體調(diào)節(jié)四硫富瓦烯四硫醇雙自由基的電子結(jié)構(gòu)和NIR-II發(fā)射

          時(shí)間:2024/8/27閱讀:109
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          本文要點(diǎn):近紅外(NIR)熒光團(tuán)是眾多成像、通信和傳感應(yīng)用的有前途的候選者,但它們通常需要大型共軛支架才能在這個(gè)低能量區(qū)域?qū)崿F(xiàn)發(fā)射。由于需要擴(kuò)展共軛和合成復(fù)雜性,因此針對所需的應(yīng)用調(diào)整這些系統(tǒng)的光物理特性是極其困難的。本文報(bào)告了通過簡單地修飾外周配體來輕松調(diào)整深 NIR 發(fā)射的類二激進(jìn)復(fù)合物。我們應(yīng)用一種簡單的基于 Hammett 參數(shù)的策略來調(diào)整一系列市售三芳基膦中封端配體的電子供體。這種微小的外圍修飾顯著改變了電子結(jié)構(gòu),從而改變了基于四硫代富瓦烯 (TTFtt) 的熒光團(tuán)的電化學(xué)、光物理和磁性。由此產(chǎn)生的 ~100 nm 吸收和發(fā)射范圍跨越常見的激光線和理想的電信區(qū)域(約 1260–1550 nm)。此外,這些熒光團(tuán)對局部電介質(zhì)敏感,因此在深近紅外區(qū)域中,它們被區(qū)分為比率成像和/或條形碼的有前途的候選者。

          動(dòng)物活體成像




          本文使用三芳基膦作為一組可調(diào)的加帽配體,我們在芳基環(huán)的對位位置引入了各種供電子和吸電子基。這種方法使得合成了四種新的鉑封邊四硫黃瓦烯四硫代酸酯(TTFtt)二元配合物。然后,作者將這些復(fù)合物的電子結(jié)構(gòu)和光物理性質(zhì)與先前報(bào)道的兩個(gè)示例進(jìn)行了比較,以對六種類似物進(jìn)行總比較。

          令人驚訝的是,作者發(fā)現(xiàn)這些簡單且相對較小的擾動(dòng)對電子結(jié)構(gòu)有很大的影響:吸收和發(fā)射偏移數(shù)百納米,電化學(xué)勢位偏移數(shù)百毫伏,基態(tài)T1–S0間隙變化幾 kcal/mol,整體雙自由基性狀增加28%。此外,觀察到這些特性對光體的局部環(huán)境有反應(yīng);吸收和發(fā)射可以作為溶劑電介質(zhì)的函數(shù)顯著移動(dòng)。最后,這些空氣、酸和水穩(wěn)定的化合物可溶于水溶液,使它們成為有前途的生物傳感器。

          該系統(tǒng)的理想可調(diào)性以及由此產(chǎn)生的光物理和磁性能直接由每個(gè)分子中心的緊湊 TTFtt 核心實(shí)現(xiàn)。由于重雜原子取代,這種 NIR-II 發(fā)射是在如此小的核心上實(shí)現(xiàn)的,這壓縮了π系統(tǒng)并浴變色地改變了發(fā)射。此外,緊湊的支架尺寸減少了有害的振動(dòng)模式,這些振動(dòng)模式被認(rèn)為會(huì)增強(qiáng)該區(qū)域的非輻射衰減。最終,這種帶有 Pt 中心的小型支架的封端保持了這種明亮的、基于有機(jī)的 NIR II 發(fā)射,同時(shí)允許在開放的封蓋配體位點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)可調(diào)性。


          圖1. 1-6 的合成方案


          基于目前市售的三芳基膦設(shè)計(jì)研究,這些三芳基膦在對位上有可變?nèi)〈V耙呀?jīng)使用兩種這樣的類似物來合成新的TTFtt復(fù)合物,用于以前的研究(CF3和 H 與 Hammett 參數(shù)σpt0.54 和 0)。本文中擴(kuò)展了該系列,增加了四個(gè)新的類似物,使 Hammett 參數(shù)的總范圍從 -0.27 到 0.54。得到二元復(fù)合物1-4(見圖1)。這些復(fù)合物與先前報(bào)道的類似物 5 和 6 一起形成一系列 p 取代的三苯基膦封端指示。NMR 分析證實(shí),這些外周配體修飾調(diào)節(jié) Pt 膦部分的電子結(jié)構(gòu); JPt-P和195Pt NMR信號與Hammett參數(shù)線性響應(yīng),表明膦的一般供體強(qiáng)度確實(shí)受到對位取代基的修飾(見圖1B)。

          配合物 1-6 在 DCM 中顯示出強(qiáng)烈的近紅外吸收峰,消光系數(shù) (ε) 范圍約為 80,000 至 150,000 M–1cm–1。NIR峰跨度為 1023–1130 nm,范圍為 >100 nm/900 cm–1 (圖2A).這些吸收與對位組的Hammett參數(shù)呈線性變化,σp 驗(yàn)證此參數(shù)作為一個(gè)簡單的預(yù)測工具,用于設(shè)計(jì)在特定波長下吸收的系統(tǒng),并進(jìn)一步支持外周配體變化,調(diào)整 TTFtt 部分的電子效應(yīng)。此外,所有六種配合物在 DCM 中都發(fā)出明亮的發(fā)射,發(fā)射波長為~100 nm(~630 cm–1),從 1187 到 1283 nm(圖 2B,1150、1380 和 1420 nm 附近的肩部產(chǎn)生于 DCM 吸收)。與吸收數(shù)據(jù)不同,將這些發(fā)射與σp揭示了這六個(gè)配合物分為兩個(gè)不同的帶,間隔約為 300 cm–1。先前的一項(xiàng)研究表明,這種間距與TTFtt骨骼振動(dòng)一致,因此這兩個(gè)波段的分離可能是振動(dòng)重疊變化的結(jié)果。

          計(jì)算表明,預(yù)計(jì)配合物 4 具有適度的溶劑變色位移,因此被選為在各種電介質(zhì)中進(jìn)行研究的示例。有趣的是,通過這種方法可以進(jìn)一步調(diào)整配合物4的近紅外吸收峰,將可用范圍增加到950–1155 nm(~10525–8650 cm–1);發(fā)射同樣擴(kuò)大到約1110-1283nm(約9010-7790 cm–1),見圖2C,D,此范圍包括先前報(bào)告的5。

          這種廣泛的溶劑變色反應(yīng)是值得注意的,并且是報(bào)道這種反應(yīng)集中在深 NIR II 區(qū)域 (>1200 nm)。本文利用這種溶劑致變色行為來展示使用 1200 nm 帶通濾光片和兩種不同溶劑電介質(zhì)的方式驗(yàn)證比率成像(見圖 2E、F)?;衔?4 在 1200 nm 處的發(fā)射在較高介電常數(shù)介質(zhì) (MeCN) 中是可見的,但由于 DCM 中的深色偏移發(fā)射峰,在較低介電介質(zhì)中幾乎無法檢測到(見圖 2D)。

          1-6 的吸收和發(fā)射峰位移也是薄膜應(yīng)用的理想選擇。本文通過將 1-6 的聚合物薄膜滴鑄到顯微鏡載玻片上并應(yīng)用長通和帶通濾光片來測試此應(yīng)用。這些化合物具有微弱的可見吸收,因此薄膜對眼睛來說幾乎是無色的;然而,在 808 nm激發(fā)下,它們在NIR-II區(qū)域發(fā)出明亮的發(fā)射。此外,它們將封端配體誘導(dǎo)的波長偏移保留為薄膜,因此帶通濾光片可以區(qū)分單個(gè)配合物。


          圖2. DCM中所有六種類似物的紫外-可見-近紅外光譜


          之后本文利用瞬態(tài)吸收(TA)光譜進(jìn)一步研究了σp上這些吸收和發(fā)射位移的電子基礎(chǔ)。化合物1-4的TA光譜顯示,在1000至1100 nm之間有基態(tài)漂白劑(GSB),在1130 nm處有激發(fā)態(tài)吸收(ESA),在1200至1300 nm之間有受激發(fā)射(SE)特征(見圖3)。

          TA和時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(TCSPC)測量揭示了單線態(tài)(S1,見圖3A,)壽命隨Hammett參數(shù)呈線性趨勢。此外,GSB似乎在T2聚集后發(fā)生了偏移,這可能是由于接近的單線態(tài)和三線態(tài)吸收以及T2與S1相比相對較慢的衰變造成的。

          光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)值范圍為0.43至0.04%,隨Hammett參數(shù)呈指數(shù)趨勢輻射率(kr)和非輻射率(knr)也是如此。對于這六種染料系列,DCM的亮度值范圍為4000至60000 M–1 cm–1。最后,本文研究了808nm照射下的光穩(wěn)定性,在9小時(shí)的過程中,沒有觀察到吸收或發(fā)射的減少,這表明這些化合物在NIR II下有較高的光穩(wěn)定性。

          最后,由于對NIR II胃腸道成像感興趣,本文測試了這類化合物在酸中的穩(wěn)定性和亮度。有趣的是,這些化合物在冰醋酸中溶解并保持穩(wěn)定性和亮度。近紅外分子發(fā)光體中的酸穩(wěn)定性很少見,因此這將是這些化合物未來研究的一個(gè)有前景的領(lǐng)域。


          圖3. TA 光譜


          研究了這些類似物的電化學(xué)性質(zhì),以確定這些微小的合成擾動(dòng)是否會(huì)影響+1/+2 TTFtt對的氧化還原電位。這對配合物特別重要,因?yàn)樗c發(fā)光體的穩(wěn)定性有關(guān),特別是在還原性生物條件下。+1/+2氧化還原電位與Hammett參數(shù)呈非線性、大致指數(shù)關(guān)系(見圖4)。電位范圍超過近400 mV,從-0.022到-0.411 V vs Fc/Fc,表現(xiàn)出明顯的可調(diào)性。負(fù)Hammett值的指數(shù)依賴性表明,即使比OMe稍多的供體組也可能導(dǎo)致更穩(wěn)定的發(fā)光體。


          圖4. DCM中Hammett參數(shù)與+1/+2 TTFtt氧化還原對電位的關(guān)系


          光譜數(shù)據(jù)中明顯的電子結(jié)構(gòu)變化得到了含時(shí)密度泛函理論(TD-DFT)和完整的有源空間自洽場(CASSCF)計(jì)算的支持,進(jìn)行CASSCF計(jì)算以表征系統(tǒng)的二自由基特性,并利用由分布在四個(gè)軌道上的四個(gè)電子組成的最小活性空間[4,4],結(jié)合def2-SVP基組。該活性空間已被證實(shí)能準(zhǔn)確描述TTFtt橋聯(lián)復(fù)合物的二自由基性質(zhì)。

          預(yù)測的單線態(tài)(S0到S1和S1到S0)轉(zhuǎn)變遵循與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相同的總體趨勢;隨著Hammett參數(shù)的減小,轉(zhuǎn)變發(fā)生了深赭色偏移。計(jì)算的自然躍遷軌道(NTO)也證實(shí)了這些躍遷在很大程度上是基于TTFtt配體的π-π躍遷;然而,隨著Hammett參數(shù)的減小,Pt重疊略有增加,這表明能量重疊更好,因此離域增加(圖5)。這種行為有點(diǎn)違反直覺,因?yàn)殡S著Hammett參數(shù)的增加,電子吸移特性的增加可能會(huì)將軌道密度進(jìn)一步“拉"到Pt中心,從而導(dǎo)致更大的離域和多色偏移。相反,增加電子供體會(huì)導(dǎo)致Pt和TTFtt之間更好的能量匹配,從而增加離域。通過金屬封端配體的片段分析和TTFtt片段能量,很好地捕捉到了這種改進(jìn)的能量匹配。



          圖5.  計(jì)算化合物 1(左)和 4(右)的 Jablonski 圖和 NTO


          在T1-S0間隙之外,隨著Hammett參數(shù)的減小,二自由基特征也將增加,從化合物1的0.881增加到化合物4的1.130。值得注意的是,三重態(tài)幾何中的4具有更高的二向性,為1.352。我們將類似物間二向自由基特征的這種變化歸因于離域增加和T1-S0間隙減?。▓D6)。


          圖6. 化合物1(左)和4(右)的HONO-LUNO圖


          本文進(jìn)行了變溫光物理測量,以確定聚合物基質(zhì)中化合物1-4的基態(tài),從而排除任何硬化效應(yīng)。冷卻后,PL沒有明顯淬滅,PL強(qiáng)度在低溫下繼續(xù)增長(見圖7A)。由于發(fā)光是由單線態(tài)流形產(chǎn)生的,因此PL強(qiáng)度的增加表明化合物1-4處于單線態(tài)基態(tài)。

          低溫TA還證實(shí)了所有四種類似物的S1群體,這是由于特征性GSB、ESA和SE特征在2.5 K以下持續(xù)存在。100 K左右的壽命飽和與相關(guān)系統(tǒng)中觀察到的ISC途徑最小化是一致的(見圖7B)。具有小T1-S0間隙的單線態(tài)基態(tài)與化合物1-3、5和6的預(yù)測電子結(jié)構(gòu)一致;然而,這與優(yōu)化單重態(tài)幾何中4的預(yù)測三重態(tài)基態(tài)形成鮮明對比??紤]到化合物4在任一幾何形狀中計(jì)算出的小T1-S0間隙,在不同條件下,如改變電介質(zhì)或固態(tài)與溶液相測量,基態(tài)可能會(huì)發(fā)生變化。一個(gè)比OMe貢獻(xiàn)更多的群體也可能進(jìn)一步穩(wěn)定三重態(tài)基態(tài),為基于TTFtt的量子比特開辟電子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。


          圖7.(A)聚合物中化合物4的變溫光致發(fā)光。(B)聚合物中化合物4的變溫TCSPC測量。



          本文合成了一系列新的鉑封端的TTFtt二元配合物,并證明了通過用市售的三芳基膦取代可以輕松調(diào)節(jié)其電子結(jié)構(gòu)。對位取代基的簡單修改使吸收波長偏移>100 nm和發(fā)射波長偏移了約100 nm,從而可以在常見的激光線路和通信頻帶上進(jìn)行優(yōu)化。這類熒光團(tuán)的溶劑化顯色行為也允許吸收和發(fā)射范圍進(jìn)一步擴(kuò)大,并將這些發(fā)光體區(qū)分為比率成像候選者。除了光物理性質(zhì)外,該系統(tǒng)的磁性和電化學(xué)性質(zhì)還可以通過相同的對位取代基進(jìn)行顯著改變,從而可以設(shè)計(jì)出優(yōu)化的分子成像劑、傳感器和量子比特。最后,這種基于有機(jī)物的排放物在水性和酸性環(huán)境中得以保留,表明這類二自由基配合物非常堅(jiān)固。這種魯棒性,以及這些探針對其局部環(huán)境的易操作性和敏感性,為這些系統(tǒng)在多色成像、近紅外條形碼和生物量子傳感等應(yīng)用中的實(shí)用性開辟了道路。


          參考文獻(xiàn)

          McNamara L E, Boyn J N, Anferov S W, et al. Variable Peripheral Ligand Donation Tunes Electronic Structure and NIR II Emission in Tetrathiafulvalene Tetrathiolate Diradicaloids. J. Am. Chem. Soc. 2024, 146, 25, 17285–17295



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