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        1. 上海恒光智影醫(yī)療科技有限公司
          初級(jí)會(huì)員 | 第1年

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          表面等離子體增強(qiáng) NIR-II 熒光用于小鼠穿顱腦成像的多層納米探針

          時(shí)間:2023/2/22閱讀:134
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          本文要點(diǎn):近紅外二區(qū)(NIR-II, 1000-1700 nm) 熒光成像對(duì)于體內(nèi)深層生物結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)確可視化具有巨大潛力。然而,當(dāng)前 NIR-II熒光探針的微弱熒光仍然是對(duì)不斷增長(zhǎng)的成像需求的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。本文通過將二氧化硅涂層的金納米棒 (GNR) 和聚合物點(diǎn) (Pdots) 結(jié)合到多層納米結(jié)構(gòu)中,實(shí)現(xiàn)表面等離子體增強(qiáng) NIR-II熒光策略,在 NIR-II 成像窗口中實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 6.4 的增強(qiáng)因子。表面等離子體增強(qiáng)方法已成功擴(kuò)展到具有 NIR-II發(fā)射的幾種類型的 Pdots 熒光團(tuán)。本文最終對(duì)多層探針進(jìn)行了外層封裝和聚乙二醇化,并展示了表面等離子體增強(qiáng)的 NIR-II熒光,實(shí)現(xiàn)小鼠穿顱腦成像。與臨床批準(zhǔn)的ICG相比,它表現(xiàn)出精細(xì)的信噪比和穿透深度。

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          GNR@SiO2-Pdot 納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制造

          Schemem 1 顯示了用于表面等離子增強(qiáng) NIR II熒光的多層納米探針的設(shè)計(jì)策略。作為等離子體材料,GNR 具有顯著的特性:可調(diào)節(jié)的縱向等離子體峰、大的消光截面、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和高生物兼容性。大表面積和易于功能化使 GNR 成為生物分子固定化和靶向藥物遞送的理想載體。在這項(xiàng)工作中,作者利用 GNR 的表面等離子共振特性來增強(qiáng) Pdots 的 NIR-II 熒光。對(duì)于體內(nèi)應(yīng)用,已知藥代動(dòng)力學(xué)和生物分布明顯受粒徑和表面功能化的影響。本文將 GNR 進(jìn)行后續(xù)二氧化硅封裝,目的是通過調(diào)整二氧化硅殼厚度來優(yōu)化等離子體增強(qiáng)。首先通過改進(jìn)的無核方法制備小型 GNR,并通過十六烷基三甲基溴化銨 (CTAB) 進(jìn)行穩(wěn)定。對(duì)GNR進(jìn)行了形態(tài)表征(Figure 1A),微型 GNR 可以有效地減小后續(xù)納米探針的最終尺寸和修改過程,并避免了隨著吸收截面減小而產(chǎn)生的強(qiáng)烈散射,保持了 GNRs 極hao的吸收和激發(fā)增強(qiáng)能力。

          figure 1.png



          文章選擇半導(dǎo)體聚合物作為 NIR-II熒光發(fā)射模塊,因?yàn)樗鼈兙哂辛己玫墓夥€(wěn)定性和大的吸收截面,有助于制備具有良好重現(xiàn)性和高亮度的 NIR-II納米探針。制備得的 Pdot(m-PBTQ4F)量子產(chǎn)率3.2%,比非氟化對(duì)應(yīng)物亮 3 倍以上。 PSMA是一種兩親性功能聚合物,在 Pdot 制備過程中引入以產(chǎn)生表面羧基,這使得隨后的靜電組裝成為可能。Pdot在水中分散良好,其平均流體動(dòng)力學(xué)直徑約18 nm(Figure 1B)。 TEM 圖像顯示 Pdot 呈球形。光譜結(jié)果(Figure 1C)表明,Pdots 的熒光光譜擴(kuò)展到 NIR-II 區(qū)域,熒光發(fā)射峰位于 994 和 1120 nm,肩峰位于 1300 nm 以上。此外,GNR 的吸收光譜在 805 nm 附近表現(xiàn)出縱向等離子體峰,同時(shí)與用于 NIR-II成像的 808 nm 激發(fā)光和 Pdot 的吸收峰很好地匹配。


          已經(jīng)證明,當(dāng)熒光團(tuán)直接與等離子體納米粒子接觸時(shí),非輻射能量通過激發(fā)熒光團(tuán)的弛豫迅速轉(zhuǎn)變?yōu)楸砻娴入x子體共振;因此可能會(huì)發(fā)生熒光猝滅而不是熒光增強(qiáng)。為了避免熒光猝滅,在 GNR 和 Pdot 之間引入二氧化硅作為間隔層,并且設(shè)計(jì)了GNR@SiO2-Pdot 納米粒子用于 NIR-II熒光增強(qiáng)。


          首先,與 GNR 結(jié)合的劇毒 CTAB 被生物兼容性 PEG-SH 取代,這不僅有利于體內(nèi)應(yīng)用,而且有利于后續(xù)的二氧化硅涂層。配體交換過程不會(huì)改變 GNR 的良好分散性(Figure 1D)。隨后,組裝二氧化硅圖層,其厚度可以通過改變反應(yīng)時(shí)間和前體濃度來調(diào)節(jié)。然后,通過氨基丙基三甲氧基硅烷(APTES) 改性過程,將GNR@SiO2 納米顆粒與胺基團(tuán)官能化。-NH2質(zhì)子化為GNR@SiO2納米顆粒提供了正電荷,帶負(fù)電的 Pdots 通過靜電相互作用組裝到帶正電的 GNR@SiO2納米顆粒的表面上。通過TEM圖像與光譜證實(shí)了 Pdots 通過靜電相互作用成功組裝到 GNR@SiO2納米顆粒上。


          GNR@SiO2-Pdots 的表面等離子增強(qiáng) NIR-II 熒光


          作者研究了GNR@SiO2-Pdot 多層探針中的表面等離子體增強(qiáng) NIR-II熒光。在 808 nm 激光的激發(fā)下測(cè)量熒光發(fā)射光譜。與相同熒光團(tuán)濃度(10 μg mL-1)下的游離 Pdots 相比,GNR@SiO2-Pdots的發(fā)射強(qiáng)度顯著增強(qiáng)(Figrue 1H)。通過單獨(dú)比較~1000 nm處的熒光峰強(qiáng)度,增強(qiáng)因子可以增加5倍,揭示了GNR@SiO2-Pdots NIR-II熒光的顯著增強(qiáng)效果。Figure 1E 顯示,與 SiO2納米顆?;旌虾螅琍dots 熒光強(qiáng)度略有降低;與 CTAB 封端的 GNR(無二氧化硅殼)混合時(shí),觀察到到明顯的熒光猝滅。Figure 1I成像結(jié)果清楚地表明只有GNR@SiO2-Pdots 有熒光增強(qiáng)效應(yīng),與光譜測(cè)量結(jié)果一致。這些觀察結(jié)果證明了二氧化硅間隔層的重要性。

          figure 2.png


          GNR@SiO2-Pdots 的距離依賴 NIR-II 熒光增強(qiáng)


          作者合成了一系列二氧化硅殼厚度不同的GNR@SiO2-Pdot 多層探針。根據(jù)TEM圖像,硅殼的厚度分別為3.7、8.6、11.4和15.3 nm。作為對(duì)照,還制備沒有二氧化硅層的GNR- Pdots。然后將Pdots組裝到納米顆粒表面,形成具有不同厚度的硅厚度的GNR@SiO2-Pdots。


          Figure 2D光譜分析表明,在沒有二氧化硅層的GNR-Pdots中,熒光被猝滅;在二氧化硅厚度為3.7 nm的GNR@SiO2-Pdots中明顯增強(qiáng)。隨著二氧化硅厚度的進(jìn)一步增加,NIR-II發(fā)射在8.6 nm二氧化硅厚度處達(dá)到zui jia增強(qiáng),在11.4和15.3 nm二氧化硅厚度處減弱。結(jié)果一致表明,表面等離子體增強(qiáng)的NIR-II熒光明顯依賴于二氧化硅層的厚度。


          為了驗(yàn)證等離子體系統(tǒng)增強(qiáng) Pdot 的 NIR-II 熒光的普遍性,制備了具有不同二氧化硅厚度和不同類型 Pdots (p-PBTQ2F、p-PBTQ4F 和 m-PBTQ2F)的多層 GNR@SiO2-Pdots,然后分別進(jìn)行了熒光光譜和 NIR-II 成像的表征(Figure S8 和 S9)。作者將 NIR-II 圖像中 GNR@SiO2-Pdots 相對(duì)于游離 Pdots 的綜合 NIR-II 熒光強(qiáng)度定義為增強(qiáng)因子。Figure 2F 顯示了四種類型的 GNR@SiO2-Pdots 的增強(qiáng)因子隨二氧化硅間隔層厚度的變化趨勢(shì)。結(jié)果表明,隨著二氧化硅厚度的增加,4種類型的納米探針表現(xiàn)出相似的增強(qiáng)趨勢(shì),在8.6 nm二氧化硅厚度處,p-PBTQ2F、p-PBTQ4F、m-PBTQ2F和m-PBTQ4F Pdots的zui jia增強(qiáng)因子分別為6.4、5.8、4.9、3.9。四種類型的Pdots的增強(qiáng)因子不同,可能是由于GNRs的吸收光譜與Pdots的吸收光譜有不同的重疊。四種類型的Pdots的粒徑也略有不同,從而改變了Pdots到GNRs的平均距離。這些因素會(huì)影響最終的熒光增強(qiáng)。



          用于通過顱腦成像的表面等離子增強(qiáng) NIR-II 熒光


          作者將GNR@SiO2- Pdots 探針應(yīng)用于小鼠大腦的顱內(nèi)血管成像。為了提高穩(wěn)定性,GNR@SiO2-Pdots用 PVP 進(jìn)一步穩(wěn)定,然后用外部二氧化硅層封裝,以防止 Pdots 在復(fù)雜的生物環(huán)境中從 GNR@SiO2上解離。已證明用聚(乙二醇)(PEG)密集涂覆納米材料可增加體內(nèi)循環(huán)時(shí)間。因此,通過硅烷-PEG在二氧化硅外表面的水解和縮合,GNR@SiO2-Pdots@SiO2被 PEG 功能化。最終探針的熒光光譜形狀類似于GNR@SiO2-Pdots。外層二氧化硅涂層后 NIR-II熒光強(qiáng)度幾乎保持不變,而 PEG 化可以大大改善靜脈注射探針后的血液循環(huán)時(shí)間。


          使用聚乙二醇化GNR@SiO2-Pdots@SiO2 探針通過頭皮和顱骨對(duì)小鼠大腦的血管結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像,并與ICG的成像結(jié)果進(jìn)行了比較。前者血管的熒光強(qiáng)度要強(qiáng)得多,復(fù)雜的分支在視覺上比ICG更清晰,并且來自血管結(jié)構(gòu)的強(qiáng)熒光信號(hào)在靜脈注射后 2 小時(shí)保持在初始強(qiáng)度的約 80%。這些結(jié)果表明,本文探針憑借其高信噪比和長(zhǎng)保留能力,在 NIR-II熒光成像中優(yōu)于 ICG。最后,評(píng)估了小鼠的全身熒光成像。如Figure 3B所示,整個(gè)小鼠全身的血管結(jié)構(gòu)在仰臥位和俯臥位時(shí)都以高質(zhì)量清晰地成像。當(dāng)鼠標(biāo)處于俯臥位時(shí),可以清楚地觀察到血管,通過成像系統(tǒng) SBR 等于 3.1(Figure 3C)。在仰臥位成像時(shí),后肢血管系統(tǒng)的 SBR 高達(dá) 7.5(Figure 3D)??傊@些成像結(jié)果表明,本文合成的多層探針等離子體增強(qiáng) NIR-II熒光在動(dòng)物研究中具有高對(duì)比度光學(xué)成像的巨大潛力。


          參考文獻(xiàn)

          Peng, L.; Liu, Y.; Zhang, J.; Zhang, Z.; Liu, Z.; Fang, X.; Wang, Y.; Wu, C., Surface Plasmon-Enhanced NIR-II Fluorescence in a Multilayer Nanoprobe for Through-Skull Mouse Brain Imaging. ACS Appl Mater Interfaces 2022, 14 (34), 38575-38583.



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