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當(dāng)前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD>> ICP-500D薄膜沉積CVD
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產(chǎn)品型號ICP-500D
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
更新時間:2024-10-12 15:04:52瀏覽次數(shù):106次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版
SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D
是主流的半導(dǎo)體設(shè)備商,研發(fā)、制造和銷售良好的薄膜測量儀器(反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀)和等離子工藝設(shè)備(等離子刻蝕機、等離子沉積系統(tǒng)、用戶定制系統(tǒng))。
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜。可在極低溫度下(< 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。
適用于8寸以及以下晶片
低溫沉積高質(zhì)量電介質(zhì)膜:80°C~350°C
高速率沉積
低損傷
薄膜特性 (厚度、折射率、應(yīng)力) 連續(xù)可調(diào)
平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
SENTECH高級等離子設(shè)備操作軟件
穿墻式安裝方式
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