PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版

（PICOSUN™ ALD R-200 Advanced）

名稱(chēng)：原子層沉積系統(tǒng)   產(chǎn)地：芬蘭

Picosun簡(jiǎn)介

Picosun是yi家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設(shè)備專(zhuān)為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計(jì)，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶(hù)包括  大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及的大學(xué)。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類(lèi)繁多的ALD解決方案都可以滿足每個(gè)客戶(hù)的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內(nèi)置可擴(kuò)展性，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過(guò)渡到大批量工業(yè)制造中，而不會(huì)出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時(shí)，Picosun是您的合作伙伴。

   PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性，包括具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)du立的，*分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅(qū)源。PICOSUN™ R系列du特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過(guò)渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車(chē)間之間的鴻溝。對(duì)大學(xué)來(lái)說(shuō),突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會(huì)吸引到企業(yè)投資。

PICOSUN®R-200高級(jí)

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。

群集工具，Picoflow™擴(kuò)散增強(qiáng)劑，卷對(duì)卷室，RGA，UHV兼容性，N2發(fā)生器，氣體洗滌器，定制設(shè)計(jì)，用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級(jí)ALD系統(tǒng)是高級(jí)ALD研究工具的市場(chǎng)，已有數(shù)百個(gè)客戶(hù)安裝。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及終的系統(tǒng)靈活性，可以滿足未來(lái)的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)具有*du立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒工藝，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們專(zhuān)有的Picoflow™技術(shù)，即使在具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長(zhǎng)寬比和納米顆粒樣品上也能實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Advanced系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源。高效且獲得的遠(yuǎn)程等離子選件可實(shí)現(xiàn)金屬沉積，而沒(méi)有短路或等離子損壞的風(fēng)險(xiǎn)。與手套箱，UHV系統(tǒng)，手動(dòng)和自動(dòng)裝載機(jī)，集群工具，粉末倉(cāng)，卷對(duì)卷倉(cāng)以及各種原位分析系統(tǒng)集成在yi起，無(wú)論您現(xiàn)在或?qū)?lái)的研究領(lǐng)域如何，都可以高效，靈活地進(jìn)行研究，并獲得良好的結(jié)果稍后。

（*）等離子發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：

遠(yuǎn)程血漿源安裝到裝載室并與反應(yīng)室連

出色性能的適用于不同化學(xué)性質(zhì)的藍(lán)寶石涂藥器

商用微波等離子體發(fā)生器，具有300 – 3000 W可調(diào)功率，2.45 GHz頻率

保護(hù)氣體在中間空間中流動(dòng)（無(wú)等離子體物質(zhì)的反向擴(kuò)散）

在相同的沉積過(guò)程中，等離子體和熱ALD循環(huán)的可能性，而無(wú)需對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行硬件更改

技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用領(lǐng)域

客戶(hù)使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。

PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版