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二硫化鉛錫晶體 PbSnS2(Lead Tin Disulfide)晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~8mm純度：99.995%屬性：半導(dǎo)體

二硫化錸晶體 ReS2 (Rhenium Disulfide)晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.63...

二硫化錫晶體 2H-SnS2(Tin Sulfide)晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體（~ 2.2ev）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.364,...

二硫化鉭晶體(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，電荷密度波（CDW），Mott相晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶...

二硫化鉭晶體(2H) TaS2(Tantalum Sulfide) -2H晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal, Charge density waves ...

二硫化鈦晶體 TiS2(Tantalum Sulfide) 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：半金屬，逆磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =...

二硫化鎢晶體 2H-WS2(Tungsten Disulfide)晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix. These alloys are not phas...

硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14(Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide)晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：合成尺寸：~8mm純度：99...

Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide (2H-MoS?) comes ...

晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類型...

二硫化鈮晶體 2H-NbS2(Niobium Disulfide)晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor (Tc~6K), charge ...

三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料最新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,...

三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料最新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料最新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料最新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料最新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...

As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry. After 250 growth trials in 3 years, pe...

Bismuth sulfide (Bi?S?) Developed at our facilities in the last five (5) years t...

Bismuth Telluride Sulfide (Bi?Te?.?S?.?) is developed at our facilities. Sulfur ...