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產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,綜合

Lumina AT1薄膜缺陷檢測(cè)儀實(shí)現(xiàn)亞納米薄膜涂層、納米顆粒、劃痕、凹坑、凸起、應(yīng)力點(diǎn)和其他缺陷的全表面掃描和成像。實(shí)用于透明、硅、化合物半導(dǎo)體和金屬基底。在3分鐘內(nèi)掃描并顯示150毫米晶圓?？梢詷?biāo)刻出缺陷的位置，以便進(jìn)一步分析。可容納高達(dá)300 x 300 mm的非圓形和易碎基板。能夠通過(guò)一次掃描分離透明基板上的頂部/底部特征。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

實(shí)現(xiàn)亞納米薄膜涂層、納米顆粒、劃痕、凹坑、凸起、應(yīng)力點(diǎn)和其他缺陷的全表面掃描和成像。
實(shí)用于透明、硅、化合物半導(dǎo)體和金屬基底。
在3分鐘內(nèi)掃描并顯示150毫米晶圓。
可以標(biāo)刻出缺陷的位置，以便進(jìn)一步分析。
可容納高達(dá)300 x 300 mm的非圓形和易碎基板。
能夠通過(guò)一次掃描分離透明基板上的頂部/底部特征。

Lumina AT1薄膜缺陷檢測(cè)儀系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的四個(gè)檢測(cè)通道：

偏光（污漬、薄膜不均勻性）
坡度（劃痕、表面形貌）
反射率（內(nèi)應(yīng)力、條紋）
暗場(chǎng)（顆粒、夾雜物）

AT1應(yīng)用：

1.透明基底上的缺陷

Lumina AT1薄膜缺陷檢測(cè)儀

2.單層污漬或薄膜不均勻性

3.化合物半導(dǎo)體的晶體缺陷

在化合物半導(dǎo)體基底和外延生長(zhǎng)層上檢測(cè)和分類多種類型的晶體缺陷

AT1的多用途：

缺陷類型
薄厚基板
透明和不透明基板
電介質(zhì)涂層
金屬涂層
鍵合硅片
開發(fā)和在線生產(chǎn)

AT1 軟件使用來(lái)自多個(gè)探測(cè)器任意組合的數(shù)據(jù)生成缺陷圖和報(bào)告：

地圖和位置
缺陷數(shù)量
彩色編碼缺陷
缺陷尺寸

Lumina AT1薄膜缺陷檢測(cè)儀

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