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詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

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詳細(xì)摘要： 硅/二氧化硅晶片（5片）Wafers - Silicon/Silicon Dioxide Wafer

詳細(xì)摘要： 新加坡BondaTek是一家微系統(tǒng)科技公司，主要提供半導(dǎo)體材料在精細(xì)領(lǐng)域內(nèi)的專業(yè)服務(wù)和技術(shù)支持，以及其他相關(guān)生物醫(yī)學(xué)設(shè)備及微機電系統(tǒng)。

詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。

詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

詳細(xì)摘要： 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。

詳細(xì)摘要： Silicon 100mm diameter, P/Boron, （100） 1-10 ohm-cm 500um SSP SEMI Prime Grade, B...

詳細(xì)摘要： Spectrum 電學(xué)測試性底座044 LDCCMfg Dwg: PB-12941-D-JMI Cav: .300 x .300 D/A Plating: AU...

詳細(xì)摘要： Spectrum 電學(xué)測試性底座044 LDCC Mfg Dwg: SD-560-9185-A Cav: .340 x .340 D/A Plating: AU...

詳細(xì)摘要： 碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓?fù)浣^緣體的晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細(xì)摘要： CVD石墨烯銅箔 Copper foil尺寸：10*20cm純度：99.99%厚度：46um寬度：25cm（10片起售）

詳細(xì)摘要： 二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.395 nm, ...

詳細(xì)摘要： 二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.621 ...

詳細(xì)摘要： 二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC ~ 0.7k）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系，C晶胞參數(shù)：a＝...

詳細(xì)摘要： 二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.377 nm...

詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝直徑與公差：100±0.4mm摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（...

詳細(xì)摘要： 本產(chǎn)品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線，石墨烯*的性質(zhì)可以增強銅線本身的導(dǎo)電性，支持定制。