碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride）
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

 

XRD of a single crystal Bi2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

EDX of a single crystal Bi2Te3.