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          化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>測量儀表>其它測量儀表>HUSTEC-1600A-MT IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

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          HUSTEC-1600A-MT IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

          參考價(jià) 1
          訂貨量 ≥1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 深圳市華科智源科技有限公司
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào) HUSTEC-1600A-MT
          • 產(chǎn)地 深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C4棟816
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間 2024/12/10 14:38:21
          • 訪問次數(shù) 27

          聯(lián)系我們時(shí)請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


          深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;

          IGBT測試儀,IGBT測試儀設(shè)備,大功率IGBT測試儀,大功率IGBT測試設(shè)備,IGBT測試儀系統(tǒng),IGBT靜態(tài)測試儀,IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,SIC測試儀

          產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
          應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,交通,汽車 重量 30kg
          主機(jī)尺寸 深 660*寬 430*高 210(mm) 主機(jī)重量 <35kg
          主機(jī)顏色 銀色系 主機(jī)功耗 <300W
          海拔高度 海拔不超過 4000m 環(huán)境要求 -20℃~60℃(儲(chǔ)存)、5℃~50℃(工作)
          相對濕度 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下) 大氣壓力 86Kpa~106Kpa
          防護(hù)條件 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等

          HUSTEC華科智源

          HUSTEC-1600A-MT

          IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)




          一:IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)主要特點(diǎn)

          華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;


          測試參數(shù):

          ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

          IGESF 正向柵極漏電流

          IGESR 反向柵極漏電流

          BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

          VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

          VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

          ICON 通態(tài)電極電流

          VGEON 通態(tài)柵極電壓

          VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

          整個(gè)測試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


          二:應(yīng)用范圍

          A:IGBT單管及模塊,

          B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

          C:大功率二極管

          D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

          E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

          三、特征:

          A:測量多種IGBT、MOS管

          B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

          C:脈沖寬度 50uS~300uS

          D:Vce測量精度2mV

          E:Vce測量范圍>10V

          F:電腦圖形顯示界面

          G:智能保護(hù)被測量器件

          H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

          I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

          J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

          K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

          L:可以進(jìn)行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;

          序號(hào)

          測試項(xiàng)目

          描述

          測量范圍

          分辨率

          精度

          1

          VF

          二極管正向?qū)▔航?/p>

          0~20V

          1mV

          ±1%,±1mV

          2

          IF

          二極管正向?qū)娏?/p>

          0~1200A

          ≤200A時(shí),0.1A

          ≤200A時(shí),±1%±0.1A

          3

          >200A時(shí),1A

          >200A時(shí),±1%

          4

          Vces

          集電極-發(fā)射極電壓

          0~5000V

          1V

          ±1%,±1V

          5

          Ic

          通態(tài)集電極電流

          0~1200A

          ≤200A時(shí),0.1A

          ≤200A時(shí),±1%±0.1A

          6

          >200A時(shí),1A

          >200A時(shí),±1%

          7

          Ices

          集電極-發(fā)射極漏電流

          0~50mA

          1nA

          ±1%,±10μA

          8

          Vgeth

          柵極-發(fā)射極閾值電壓

          0~20V

          1mV

          ±1%,±1mV

          9

          Vcesat

          集電極-發(fā)射極飽和電壓

          0~20V

          1mV

          ±1%,±1mV

          10

          Igesf

          正向柵極漏電流

          0~10uA

          1nA

          ±2%,±1nA

          11

          Igesr

          反向柵極漏電流

          12

          Vges

          柵極發(fā)射極電壓

          0~40V

          1mV

          ±1%,±1mV



















          測試參數(shù):

          ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

          IGESF 正向柵極漏電流

          IGESR 反向柵極漏電流

          BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

          VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

          VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

          ICON 通態(tài)電極電流

          VGEON 通態(tài)柵極電壓

          VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

          IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個(gè)測試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


          1) 物理規(guī)格

          設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

          質(zhì)量:30kg

          2) 環(huán)境要求

          海拔高度:海拔不超過 1000m;

          儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

          工作環(huán)境:15℃~40℃。

          相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

          大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

          防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

          3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

          電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz





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