ALD-150LE™ 原子層沉積ALD
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 KURT.J.LESKER
- 型號 ALD-150LE™
- 產地 美國
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2024/9/6 10:09:18
- 訪問次數(shù) 245
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價格區(qū)間 | 面議 | 應用領域 | 化工 |
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Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統(tǒng),專為入門級到中級用戶而設計。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統(tǒng)性能??傮w而言,該ALD150LE™在緊湊的設計中提供了的靈活性和性能,而不會犧牲可維護性。
該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,我們的垂直流設計可實現(xiàn)分離、均勻的前驅體輸送,同時降低背景雜質水平,從而提高薄膜質量。為避免不必要的材料在輸送通道內積聚和顆粒形成,有兩個獨立的腔室入口可用于前驅體分離。例如,可以使用單獨的入口來分離金屬有機前體和共反應物,以防止在輸送管線和閥門中沉積。
兩個獨立的進樣口,用于前驅體輸送,可防止輸送通道中不必要的積聚
開放式裝載室經過精心設計,可最大限度地減少由于密封脫氣和滲透引起的背景雜質
獨立的基板加熱器平臺和外腔殼體,可實現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性
304L不銹鋼結構
可訪問、低維護的設計
ALD150LE™開路負載設計允許在樣品引入過程中將基物(直徑最大為 150 mm)直接放置在基板加熱器臺上。在隨后的原子層沉積(ALD)處理過程中,集中式母離子輸送和泵送建立了一個屏障,將下游腔室密封的雜質擋在反應區(qū)之外。彈性體腔密封件在下游的戰(zhàn)略定位可使雜質(由于密封件釋氣和滲透)遠離基材表面,從而提高 ALD 薄膜質量。特別是,這是在開放式負載室設計中獲得高質量氮化物膜的一個重要特征。