層流壓差式質(zhì)量流量控制器基于質(zhì)量守恒定律、伯努利方程以及哈根-泊肅葉定律設計，通過測量流體在管道兩端的壓差來計算流體的質(zhì)量流量?。

層流壓差原理?：當流體在管道中流動時，流體速度越快，壓力越低。層流壓差式質(zhì)量流量控制器利用這一原理，在管道中安裝兩個壓力傳感器，分別測量管道兩端的壓力差?。

?哈根-泊肅葉定律?：在溫度、管徑等參數(shù)一定的情況下，氣體處于層流狀態(tài)時，通過獲取層流元件兩端的壓差信號，可以計算出體積流量。進一步通過溫度、壓力等參數(shù)的修正，可以獲得標準體積流量?。

?整流模塊?：層流流量計一般具有整流模塊，其作用是將湍流、過渡流等不規(guī)則流動狀態(tài)轉化為層流運動狀態(tài)，以確保測量的準確性?。

壓差傳感器?：層流氣體的進、出口兩端有兩根引壓孔，引壓孔之間有一個壓差傳感器，用于獲取兩個孔的壓差。通過壓差可以獲得層流狀態(tài)下氣體的流速，從而得出氣體流量?。

在半導體工藝環(huán)節(jié)中，MFC助力清洗、氣相沉積、熱處理和刻蝕等操作得以順利進行。如CVD、刻蝕機和高溫爐等。以光刻為例，為了確保半導體芯片的質(zhì)量與性能，氟化氫、氮氣和氧氣等氣體需以精確的流量注入反應室中，每一步操作都經(jīng)過嚴格控制，確保曝光和蝕刻過程精確無誤。在這個過程中，MFC（質(zhì)量流量控制器）的作用顯得尤為重要，即使微小的氣流變化也可能會導致材料的成分發(fā)生變化。對于半導體工藝而言，無論是高溫環(huán)境還是高真空環(huán)境，MFC需要具備優(yōu)異的溫度和壓力穩(wěn)定性，以確保在各種條件下仍能保持準確性和可靠性。

易度層流壓差式質(zhì)量流量控制器的優(yōu)點：

精度高、寬量程范圍、寬溫度、寬壓力適用范圍、穩(wěn)定性強、無需預熱即開即用、一臺可測多種氣體、抗過載能力強等優(yōu)點。