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當(dāng)前位置：深圳市育創(chuàng)科技有限公司>>華科智源半導(dǎo)體測(cè)試>>IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)>> PT-1224IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)PT-1224
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間：2023-12-11 14:37:15瀏覽次數(shù)：1664次
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車,電氣 |
|---|---|---|---|
| 電壓范圍 | 0～1000VDC | 加熱范圍 | 室溫～200℃ |
| 測(cè)試電流 | 0～2400A | 負(fù)載電感 | 50uH100uH200uH500uH |
| 脈寬調(diào)制范圍 | 5～400us | 脈寬顯示屏 | 4 寸 |
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
主要作用
1.測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù)；
2.評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能；
3.獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；
4.開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
5.評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；
6.IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；
7.評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；
8.測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
9.可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)
開(kāi)通參數(shù) | 關(guān)斷參數(shù) | Frd 反向恢復(fù)參數(shù) |
開(kāi)通最大尖峰電流 Ic peak max | 關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max | 最大反向恢復(fù)電流 IRM |
開(kāi)通時(shí)間 Ton | 關(guān)斷時(shí)間 Toff | 反向恢復(fù)損耗 Erec |
開(kāi)通延遲 Td-on | 關(guān)斷延遲 Td-off | 反向恢復(fù)時(shí)間 Trr |
開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on | 關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off | 反向恢復(fù)電荷 Qrr |
開(kāi)通電流變化率 di/dt-on | 關(guān)斷電流變化率 di/dt-off | 反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak |
開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on | 關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off | 前沿電流變化率 di/dt-r |
開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on | 關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off | 后沿電流變化率 di/dt-f |
開(kāi)通損耗 Eon | Ic 拖尾電流值 It | 反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr |
Ic 拖尾時(shí)間 Tt | 最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak | |
關(guān)斷損耗 Eoff |
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