主要功能與優(yōu)勢(shì)
低損傷蝕刻
由于離子能量低且離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH電感耦合等離子體（ICP）蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。
簡(jiǎn)單的高速率蝕刻
使用室溫交替工藝或低溫工藝實(shí)現(xiàn)光滑側(cè)壁，可以很容易地使用高縱橫比的 MEMS 的 Si 進(jìn)行高速等離子體蝕刻。
SENTECH專有的等離子體源技術(shù)
SENTECH平面三重螺旋天線（PTSA）等離子體源是一種等離子體處理系統(tǒng)功能。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器、量子點(diǎn)和 HEMT 的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能，適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。
動(dòng)態(tài)溫度控制
等離子體蝕刻過(guò)程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件?；衔锇雽?dǎo)體中的凹槽和臺(tái)面蝕刻等應(yīng)用展示了最佳的工藝控制，這對(duì)于高器件性能是必要的。
靈活性和模塊化
從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板，以及載體上的基板，都可以通過(guò)SENTECH SI 500 ICP-RIE系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來(lái)處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件，并允許直接切換工藝。
我們可以提供不同級(jí)別的自動(dòng)化，從真空盒裝載到一個(gè)工藝室，再到六端口集群配置，不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統(tǒng)還可以作為過(guò)程模塊集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 ICP-RIE系統(tǒng)由先進(jìn)的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個(gè)經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實(shí)時(shí)控制。
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