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12英寸特種金屬膜層刻蝕設(shè)備
LMEC-300™ 是魯汶儀器針對(duì)特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊...
型號(hào)： LMEC-300 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:45:53 對(duì)比

離子刻蝕
12英寸離子束塑形（IBS) 設(shè)備
Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)...
型號(hào)： Pangea... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:43:05 對(duì)比

離子束刻蝕
8英寸離子束塑形（IBS）設(shè)備
Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不...
型號(hào)： Lorem... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:39:49 對(duì)比

離子束刻蝕
8英寸離子束沉積（IBD）設(shè)備
Ganister™ A離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有...
型號(hào)： Ganister&... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:37:11 對(duì)比

離子束沉積離子束刻蝕
12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備
Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（met...
型號(hào)： Herent... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:34:09 對(duì)比

離子束刻蝕
12英寸金屬刻蝕設(shè)備
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，同時(shí)也...
型號(hào)： Herent... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:29:23 對(duì)比

金屬刻蝕
8英寸硅刻蝕設(shè)備
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch cham...
型號(hào)： Tebaank&#... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:20:32 對(duì)比

深硅刻蝕
8英寸金屬刻蝕設(shè)備
Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕均...
型號(hào)： Kessel... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:13:45 對(duì)比

金屬刻蝕
8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
詳細(xì)介紹ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
型號(hào)： Pishow... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 16:09:34 對(duì)比

ICP
8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備
Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
型號(hào)： Pishow... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 15:58:56 對(duì)比

深硅刻蝕
電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備
詳細(xì)介紹CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣...
型號(hào)： Haasrode&... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 15:45:18 對(duì)比

CCP
8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可...
型號(hào)： Shale... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 15:35:04 對(duì)比

ICP
8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
詳細(xì)介紹Shale® A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場(chǎng)放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
型號(hào)： Shale... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 15:30:52 對(duì)比

PECVD
氣相分解金屬沾污收集（VPD）設(shè)備
詳細(xì)介紹Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設(shè)備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導(dǎo)工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由...
型號(hào)： Seehund&#... 所在地：徐州市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/4 15:19:49 對(duì)比

金屬沾污收集

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