1. 產(chǎn)品概述

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控。

2. 設(shè)備用途/原理

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控，高精度溫控系統(tǒng)設(shè)計，工藝穩(wěn)定性及重復(fù)性可控優(yōu)良，主、輔助、交叉氣路配合氣流場設(shè)計及優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)，氣流場均勻可控，高效傳輸Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控 算法，腔室利用率 >99.8%。

3. 設(shè)備特點

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料 硅，適用工藝 鍺硅、磷硅、硅選擇性減壓外延，適用域 科研、集成電路。百科：?減壓外延?是一種在低于一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法，主要用于硅外延。其特點包括：?自摻雜效應(yīng)減少?：減壓外延可以減少自摻雜效應(yīng)，提高外延層的純度。?過渡層厚度縮小?：此方法有助于縮小過渡層的厚度，提高外延層的質(zhì)量。?外延層均勻性改善?：能夠改善外延層的厚度與電阻率的均勻性，提高材料的性能一致性。?埋層圖形漂移減輕或排除?：可以減輕或排除埋層圖形的漂移，保持材料的穩(wěn)定性。?使用要求?：根據(jù)襯底與外延層的摻類與濃度、器件的要求，使用的壓力一般在(1.3?26)×10?7Pa(1.3?26)×10 ?7 Pa范圍內(nèi)。這要求設(shè)備具有較高的技術(shù)規(guī)格，包括高頻或輻射加熱、氣路系統(tǒng)及相應(yīng)的自動化系統(tǒng)以保持相應(yīng)的壓力，以及需要更大的排氣量的真空系統(tǒng)。?應(yīng)用領(lǐng)域?：減壓外延已用于超大規(guī)模集成電路用外延片的生產(chǎn)，以及選擇外延等特殊工藝，顯示了其在微電子領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值。減壓外延系統(tǒng)的這些特點使其成為制備高質(zhì)量半導(dǎo)體材料的重要技術(shù)之一，特別是在需要高純度、高性能材料的先進電子器件制造中發(fā)揮著關(guān)鍵作用?。