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當(dāng)前位置:深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>鍍膜沉積機(jī)
SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備,該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體,適用于4英寸(φ100mm)以下基底材...
PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比,等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案,同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。...
系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類(lèi)金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF),可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)...
PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專(zhuān)業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士,于1974年發(fā)明了ALD技術(shù),是PICOSUN董事會(huì)的成員。我...
NLD-3500(A)全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉...
1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積);2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積);3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);儀器簡(jiǎn)介:原子層沉積(Atom...
基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)(MAPLE)是PLD的一種變體。這是由NRL集團(tuán)新引入的技術(shù),以促進(jìn)某些功能有機(jī)材料的薄膜沉積?;赨V (5-6 eV)的傳統(tǒng)PLD技術(shù)...
激光分子束外延(Laser MBE)是上個(gè)世紀(jì)90年代發(fā)展起來(lái)的一種新型高精密制膜技術(shù),它集PLD的制膜特點(diǎn)和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長(zhǎng)的原位...
NSC-3000(A)全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述:帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能,到6旋轉(zhuǎn)平臺(tái),可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。
美國(guó)Four Dimensions,Inc, 簡(jiǎn)稱(chēng)“4D",成立于1978年,位于美國(guó)加州硅谷的Hayward, 4D公司專(zhuān)注于四探針設(shè)備和CV儀的生產(chǎn)和銷(xiāo)售,...
美國(guó)Creative Design Engineering, 簡(jiǎn)稱(chēng)“CDE",成立于1995年,位于美國(guó)加州硅谷的庫(kù)比蒂諾 - Cupertino, CDE公司...
技術(shù)參數(shù):l 自動(dòng)的換氣與泄氣功能,可以得到一致的膜厚,和的導(dǎo)電噴鍍效果。l 通過(guò)高效低壓直流磁控頭進(jìn)行冷態(tài)精細(xì)的噴鍍過(guò)程,避免樣品表面受損。
Leica EM ACE600是優(yōu)良的多用途高真空薄膜沉積系統(tǒng),設(shè)計(jì)來(lái)根據(jù)您的FE-SEM和TEM應(yīng)用的需要生產(chǎn)非常薄的,細(xì)粒度的和導(dǎo)電的金屬和碳涂層,用于高分...
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù);它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。
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