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襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用來(lái)支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)等,而...
應(yīng)用ITO導(dǎo)電玻璃的時(shí)候,往往會(huì)提到一個(gè)重要的參數(shù),這個(gè)參數(shù)就是:方阻,也稱方塊電阻。同時(shí),我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。那這個(gè)方塊電阻到底是什么意思...
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖...
??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅...
非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,遷移率(霍...
晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率(霍爾)測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀,測(cè)試硅片,碳化硅、科研大學(xué)提供服務(wù)。
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