PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發(fā)射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。
產品特點：
電學和光學特性對溫度的依賴性較低
垂直腔面發(fā)射激光器
內部TEC和熱敏電阻，ESD保護
窄線寬
2nm可調諧
產品應用：
長途電話接入網
局域網
以太網
光電參數 條件：TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有說明（TO P=芯片背面溫度，由TEC控制）
參數 | 符號 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 | 備注 |
工作波長 | λR | 850nm | ||||
閾值電流 | ITH | 1 | mA | |||
輸出功率 | Popt | 0.5 | 1 | mW | ||
閾值電壓 | UTH | 1.8 | V | |||
工作電流 | IOP | 3 | mA | Popt = 0.5mW | ||
工作電壓 | UOP | 3 | V | Popt = 0.5 mW | ||
光電轉換率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | |||
上升和下降時間 | Tr /Tf | 90/120 | Psec | |||
微分串聯電阻 | RS | 100 | 200 | Ω | Popt = 0.5 mW | |
3dB 調制帶寬 | ν3dB | 0.10 | 2.5 | GHz | Popt = 0.5 mW Due to ESD protection diode | |
相對噪聲強度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波長電流調諧系數 | 0.6 | nm/mA | ||||
波長溫度調諧系數 | 0.06 | nm/K | ||||
熱敏電阻(VCSEL chip) | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
邊模抑制比（SMSR) | 35 | dB | I = 2 mA | |||
光束發(fā)散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5mW, full width 1/e2 | |
光譜寬度 | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW | |||
Tec 特性 | 單位 | 最小 | 典型 | 最大 | 備注 |
Tec 電流 | mA | -150(Heating) | +300(Cooling) | Proper Heart Sink Required | |
NTC 熱敏電阻 | KΩ | 9.5 | 10.0 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC 熱敏電阻 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} | |||
光譜圖
L-I 曲線(T@25°C)
溫度/波長調諧曲線@TEC電流
激光光斑圖(2D/3D)
光束輪廓
在遠場中，單模VCSEL的強度分布是wan美的高斯形狀
絕對最大值參數
參數 | 單位 | 最小 | 典型 | 最大 |
存儲溫度 | ℃ | -40 | 25 | 125 |
芯片溫度 | ℃ | +10 | 25 | 40 |
工作電流 | mA | 0 | 3.0 | 5.0 |
正向電壓 | V | 0.8 | 3.0 | 4.8 |
TEC 電流 | mA | -150 | - | +300 |
焊接溫度* | ℃ | 100 | 130 | 260 |
功耗 | mw | - | - | 5 |
(*TEC溫度必須低于150℃）
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