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所 在 地西安市
更新時(shí)間:2023-12-18 10:01:14瀏覽次數(shù):204次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體
供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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InSb晶體,拓?fù)浣^緣體
材料名稱:InSb晶體
性質(zhì)分類:拓?fù)浣^緣體
合成方法:CVT
剝離難易程度:難
存儲(chǔ):4℃冷藏、密封、避光
用途:僅用于科研,不能用于人體
InSb晶體,拓?fù)浣^緣體
InSb是一種重要的半導(dǎo)體材料,由銦(In)和銻(Sb)元素組成。它擁有銻化銦的晶體結(jié)構(gòu),屬于III-V族化合物半導(dǎo)體。InSb在電子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
由于其優(yōu)良的電子傳輸性能和熱導(dǎo)率,InSb被用于制造紅外探測(cè)器和熱成像設(shè)備。其在高頻率電子器件和低溫電子學(xué)領(lǐng)域也有一定的應(yīng)用,因?yàn)樗诘蜏叵卤憩F(xiàn)出良好的電子遷移率。
此外,InSb也被用于研究量子效應(yīng)和量子結(jié)構(gòu),因?yàn)槠潆娮舆\(yùn)動(dòng)受量子效應(yīng)影響。這些特性使得InSb成為了研究量子力學(xué)和納米電子學(xué)的重要材料之一。
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以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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