InBi晶體，拓?fù)浣^緣體

材料名稱：InBi晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體

合成方法：CVT

剝離難易程度：中

存儲(chǔ)：4℃冷藏、密封、避光

用途：僅用于科研，不能用于人體

InBi晶體，拓?fù)浣^緣體

InBi是銦鉍化合物，是由銦（In）和鉍（Bi）元素組成的化合物。它通常是一種半導(dǎo)體材料，具有晶體結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)。

InBi在電子學(xué)和材料科學(xué)領(lǐng)域中受到了關(guān)注，因?yàn)樗哂幸恍┬再|(zhì)，在一些條件下可能表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體的特征。拓?fù)浣^緣體是一種量子材料，其表面或邊界上存在能級(jí)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致其內(nèi)部是絕緣體而表面或邊界卻能夠?qū)щ姟?/p>

InBi由于其電學(xué)和拓?fù)湫再|(zhì)，被認(rèn)為在量子計(jì)算、自旋電子學(xué)以及其他電子學(xué)領(lǐng)域可能有潛在的應(yīng)用?？茖W(xué)家們對(duì)其性質(zhì)進(jìn)行研究，以探索其在新型電子學(xué)器件和技術(shù)中的應(yīng)用潛力。

相關(guān)產(chǎn)品：

MoWTe2 二硒化鎢鉬晶體 (Molybdenum tungsten ditelluride)

I2 intercalated WSe2 二硒化鎢晶體（碘）

ReNbSe2 Crystals 二硒化鈮錸晶體

FeTeSe 硒化碲鐵晶體 (Iron Selenide Telluride)

MoWSe2 二硒化鎢鉬晶體 (Molybdenum Tungsten Diselenide)

NbReSe2 Crystals 硒化錸鈮晶體

SnSe2 二硒化錫晶體 (Tin diselenide)

Bi2Se3 硒化鉍晶體-未摻雜 (Undoped Bismuth Selenide)

p-type MoSe2 crystals P型二硒化鉬晶體

SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide)

InSe 硒化銦晶體 (Indium Selenide)

CoSe2 硒化鈷晶體 (Cobalt diselenide)

VSe2 二硒化礬晶體 (Vanadium Diselenide)

FeSe 硒化鐵晶體 (Iron Selenide)

PbGa2Se4 crystals 硒化鎵鉛晶體

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。