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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-18 09:43:42瀏覽次數(shù):173次
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In2Te5晶體,拓撲材料
材料名稱:In2Te5晶體
性質(zhì)分類:拓撲材料,熱電材料,紅外材料
禁帶寬度:~1 eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:難
In2Te5晶體,拓撲材料
In2Te5是由銦(In)和碲(Te)元素組成的化合物,具有層狀結(jié)構(gòu)。這種化合物可能顯示出一些電學、光學或磁學性質(zhì),因其層狀結(jié)構(gòu),可能在半導體領(lǐng)域或其他電子學應(yīng)用中具有潛在的特性。
關(guān)于In2Te5晶體的具體研究和特性,包括其晶體結(jié)構(gòu)、電學性質(zhì)以及在電子學領(lǐng)域的應(yīng)用,可能需要更多的實驗和深入的科學研究,以全面了解其性質(zhì)和潛在應(yīng)用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.
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