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當前位置：西安昊然生物科技有限公司>>昊然生物>>晶體>> In2GaBi2S6晶體，拓撲材料
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質經(jīng)銷商
所 在 地西安市
更新時間：2023-12-15 09:58:28瀏覽次數(shù)：168次
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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
|---|
In2GaBi2S6晶體，拓撲材料
材料名稱：In2GaBi2S6晶體
性質分類：拓撲材料，半導體
禁帶寬度：1.8 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存
研磨成粉末測試XRD
In2GaBi2S6晶體，拓撲材料
In2GaBi2S6是由銦（In）、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結構和性質。
由于其組合和結構，In2GaBi2S6可能表現(xiàn)出一些電學、光學或磁學性質。這些性質可能使其在半導體、光電器件或其他電子學應用中具有潛在應用價值。
然而，對于In2GaBi2S6的詳細性質和潛在應用，其晶體結構和電學性質，可能還需要更深入的研究和實驗來全面了解。這類新型材料的探索對于未來電子學和光電子學的發(fā)展具有一定的意義。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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