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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-15 09:52:14瀏覽次數(shù):152次
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HfS3晶體,拓撲絕緣體
材料名稱:HfS3晶體
性質(zhì)分類:拓撲絕緣體,紅外材料
禁帶寬度:1.119 eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:易
HfS3晶體,拓撲絕緣體
HfS3代表的是由鉿(Hafnium,Hf)和硫(Sulfur,S)元素組成的化合物。它可能具有層狀的結(jié)構(gòu),類似于其他硫化物和層狀材料。
關(guān)于HfS3的特性和性質(zhì),其晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì),目前可能并沒有太多的具體信息。硫化物和硫化層狀材料通常在電子學(xué)、光電子學(xué)和能源存儲領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用,因為它們的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)可能在這些領(lǐng)域發(fā)揮作用。
對于HfS3這種化合物,科學(xué)家們可能在研究其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)以及可能的應(yīng)用方面進行探索。然而,針對HfS3的具體研究可能需要更多的實驗和深入的科學(xué)研究。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.
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