聚偏氟乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um
靜電紡絲技術是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動并發(fā)生形變,然后經(jīng)溶劑蒸發(fā)或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質，這一過程簡稱電紡。

聚偏氟乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um
通過高效靜電紡絲方法一步制備核殼結構的銀納米線/聚偏氟乙烯(AgNWs/PVDF)復合納米材料.通過SEM,TEM等手段對復合材料進行表征,揭示其核心保護套結構,得到了PVDF和納米銀線的微觀形貌以及兩者的濃度關系,并分析提出在靜電紡絲過程中AgNWs/PVDF復合納米材料的可能形成機理.

多孔聚氧化乙烯納米纖維薄膜-靜電紡絲技術

纖維狀結構聚氧化乙烯納米膜

多孔組織支架PEO纖維膜

靜電紡絲聚氧化乙烯PEO纖維薄膜-片狀

不同纖維直徑聚氧化乙烯納米纖維膜

介孔PEO靜電紡絲纖維薄膜

多孔聚氧化乙烯纖維薄膜

介孔PEO纖維薄膜

不同取向度纖維狀PEO聚氧化乙烯薄膜

PEO聚氧化乙烯纖維膜-纖維直徑500nm

聚氧化乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um

PEO電紡纖維膜-孔徑30um

聚氧化乙烯靜電紡絲纖維薄膜-孔隙率（80%）

多孔薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：100/200/500）um或1cm

多孔薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：100/200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

溫馨提示：以上產(chǎn)品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）