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晶體管被發(fā)明之后,由于其優(yōu)異的性能和成本優(yōu)勢逐步取代真空管成為電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步,使得集成電路成為可能,并且集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個小芯片,這是一個巨大的進步。而且集成電路是由于將所有的芯片組件通過照相平板技術(shù)作為一個額單位印刷,而不是在單位時間內(nèi)只制作一個晶體管。
近些年來,集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展使得每個芯片可以封裝更多的電路,這樣增加了單位面積的容量也降低了成本提高了性能。根據(jù)摩爾定律,集成電路中晶體管的數(shù)量每隔18個月增加一倍。
隨著外型尺寸的縮小,幾乎所有的性能指標(biāo)都改善了。
NS3500激光共聚焦顯微鏡簡介
NS3500激光共聚焦顯微鏡廣泛地用于半導(dǎo)體行業(yè),為了滿足測量的精度和測量范圍NS3500激光共聚焦顯微鏡不但可以支持非接觸測量,高精度測量,高分辨率,而且可以提供大范圍拼接能力。
相比較于普通的探針掃描儀,激光共聚焦顯微鏡有著更高的分辨率和測量精度。NS3500激光共聚焦顯微鏡采用的是針孔 成像技術(shù),可以隔絕焦點外所有的信號,從而大大提高了圖像的分辨率,通過垂直移動物鏡,采用類似斷層掃面的方法,可以在短短幾秒鐘內(nèi)獲得樣品的所有三維數(shù)據(jù)。因此根本不需要接觸樣品的表面。在進行測量之前也不需要對樣品進行預(yù)先處理,直接放到X,Y Stage上就可以進行測量,也不會損傷到樣品的表面。
芯片的制作過程
芯片的制作的完整過程包括:芯片設(shè)計,晶片制作,封裝和測試等幾個環(huán)節(jié)。
原材料:晶圓
將石英砂純化后獲得99.999%的晶棒,將其切片后獲得芯片制作所需要的晶圓。
晶圓涂膜
晶圓涂膜能提高抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種
晶圓顯影,刻蝕
在晶圓上涂上光刻膠,并用光刻機進行光刻。
摻加雜質(zhì)
將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P,N類半導(dǎo)體
晶圓測試
經(jīng)過多道工序之后,晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒,通過針測試的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測
封裝
將制造完成的芯片綁定引腳,按照需求去制成各種不同的封裝形式,例如:DIP,QFP, PLCC ,QFN
Front end of line
Back end of line
NS3500 對晶圓的應(yīng)用案例
用NS3500獲得的半徑為1.5um 的高清晰3D晶圓圖像(上圖所示),使用NSViewer數(shù)據(jù)分析處理軟件我們可以獲得晶圓的半徑,高度等大量信息,對于晶圓的表面完整情況可以進行一次快速的分析。相較于AFM可以避免大量的資源及人工浪費,而且也不需要破壞樣品
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