原子層沉積系統(tǒng)

原子層沉積系統(tǒng)，包括：傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。

儀器簡介：
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。
原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源，化學(xué)吸附至表面飽和時自動終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
ALD的優(yōu)點包括：
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)控制薄膜的厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成*的三維保形性化學(xué)計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長可在低溫下進行（室溫到400度以下）；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底；
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件，生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。

 
技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；
加熱溫度：25℃—400℃（可選配更高）；
均勻性： < 1%；
前驅(qū)體數(shù)：4路（可選配6路）；
兼容性： 可兼容100級超凈室；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD，PE-ALD，粉末ALD技術(shù)；

 
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)；
6) 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

 
目前可以沉積的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...