產(chǎn)地類別 |
進(jìn)口 |
應(yīng)用領(lǐng)域 |
環(huán)保,化工,電子,電氣,綜合 |
關(guān)于瑞士IDONUS 光刻紫外LED曝光系統(tǒng)
瑞士idonus是一家專注于微型工程行業(yè)專業(yè)設(shè)備設(shè)計和制造的微技術(shù)公司。核心競爭力有:MEMS設(shè)備(MicroElectroMechanical Systems)、離子注入 機(jī)器視覺和光學(xué)解決方案、光伏設(shè)備、工程服務(wù)和原型或小批量生產(chǎn)
瑞士IDONUS 光刻紫外LED曝光系統(tǒng)
關(guān)于瑞士IDONUS 光刻紫外LED曝光系統(tǒng)
瑞士idonus是一家專注于微型工程行業(yè)專業(yè)設(shè)備設(shè)計和制造的微技術(shù)公司。核心競爭力有:MEMS設(shè)備(MicroElectroMechanical Systems)、離子注入 機(jī)器視覺和光學(xué)解決方案、光伏設(shè)備、工程服務(wù)和原型或小批量生產(chǎn)
VPE由反應(yīng)室和蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中。它控制要蝕刻的基板的溫度。晶圓夾持可以通過兩種方式實(shí)現(xiàn):晶圓可以通過使用夾緊環(huán)進(jìn)行機(jī)械夾緊。擰緊是從設(shè)備的背面完成的,該背面從不與 HF 蒸汽接觸。3 個螺母易于戴防護(hù)手套處理。另一種選擇是靜電夾緊。單個芯片(長度超過 10 毫米)和晶圓可以夾在加熱元件上。晶圓的背面受到保護(hù),不會被蝕刻。
液態(tài)HF被填充到反應(yīng)室中。反應(yīng)室用蓋子封閉。HF蒸氣在室溫下產(chǎn)生,蝕刻過程自發(fā)開始。蝕刻速率由晶圓溫度控制,晶圓溫度可在 35°C 至 60°C 之間調(diào)節(jié)。 處理后,酸可以儲存在儲液罐中,以便在可密封的容器中重復(fù)使用。
液體輸送只需用手柄降低連通儲液罐即可完成。由于重力作用,酸流入儲層,可以通過兩個閥門關(guān)閉。通過打開閥門并抬起手柄來重新填充反應(yīng)室。酸流入反應(yīng)室。酸可以重新用于多次蝕刻,直到必須更換。
VPE系統(tǒng)占地面積小,可以很容易地集成到現(xiàn)有的流箱中。