IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)知識(shí)介紹：

1、設(shè)備功能：

適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

2、運(yùn)行條件：

溫度：25±5℃

相對(duì)濕度：<60%，在或低于30℃

通風(fēng)條件：設(shè)備四面距離墻面大于5cm

交流電源：220V±10%，47-63Hz，良好的測(cè)試儀器接地

3、IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試器件種類及參數(shù)：

二極管：DIODE

測(cè)試參數(shù)：IR、BVR、VF

晶體管：TRANSISTOR(NPN型、PNP型)

測(cè)試參數(shù)：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

穩(wěn)壓(納)二極管：ZENER

測(cè)試參數(shù)：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型)

測(cè)試參數(shù)：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管：POWER MOSFET(N-溝/P-溝)

測(cè)試參數(shù)：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

三端穩(wěn)壓器：REGULATOR(正電壓/負(fù)電壓，固定/可變)

測(cè)試參數(shù)：VOUT、IIN

光電耦合器：OPTO-COUPLER(NPN型PNP型)

測(cè)試參數(shù)：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

可控硅整流器(普通晶閘管)SCR

測(cè)試參數(shù)：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

雙向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC

測(cè)試參數(shù)：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

絕緣柵雙極大功率晶體管：IGBT(NPN型PNP型)

測(cè)試參數(shù)：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

繼電器：RELAY

測(cè)試參數(shù)：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器)

壓變電阻：VARISTOR

測(cè)試參數(shù)：ID+ ID-、VC+ VC-

達(dá)林頓陣列：DARLINTON

測(cè)式參數(shù)：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)