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升溫速率

zui高 50 K/min

冷卻系統(tǒng)

- CC200F3（液氮制冷）：-100°C ... 500°C；軟件控制

- CC200F3（液氮制冷）：-100°C ... 500°C，選配液氮自動(dòng)填充，軟件控制，液位監(jiān)控

熱擴(kuò)散系數(shù)

0.01 mm2/s ... 1000 mm2/s

熱導(dǎo)率

0.1 W/(m·K)  ... 2000 W/(m·K)

準(zhǔn)確度

熱擴(kuò)散系數(shù)：+/- 3%

比熱：+/- 5%（標(biāo)準(zhǔn)樣品）

重復(fù)性

熱擴(kuò)散系數(shù)：+/- 2%

比熱：+/- 3%

氙燈

- 脈沖能量：zui高至10J/pulse（可調(diào)），軟件控制

- 脈沖寬度：20微秒μs至1200微秒，可調(diào)

ZoomOptics

選件，優(yōu)化檢測(cè)視野，無(wú)需遮光片。ZL技術(shù)

Pulse mapping

ZLPulse mapping技術(shù)（US 7038209，US20040079886，DE 10242741）。

修正脈沖能量，提高比熱計(jì)算精度。

紅外檢測(cè)器

- InSb：室溫至500℃

- MCT  (Hg-Cd-Te): -100°C ... 500°C

兩種檢測(cè)器都裝有0.5L杜瓦瓶，額定工作時(shí)間24小時(shí)

氣氛

惰性，氧化，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)

數(shù)據(jù)采集

- 頻率zui大至2MHz

- 采樣時(shí)長(zhǎng)（10倍的半升溫時(shí)間）zui短可達(dá)為1ms，有利于高導(dǎo)熱材料或薄膜材料的測(cè)試

（如鋁，銅箔，薄膜等）

- 采樣時(shí)長(zhǎng)（10倍的半升溫時(shí)間）zui長(zhǎng)可達(dá)120s，有利于低導(dǎo)熱或較厚樣品的測(cè)試

（如聚合物，耐火材料等）

氣體控制

配備氣體開(kāi)關(guān)，可選配減少壓力和氣體循環(huán)的MFC系統(tǒng)

自動(dòng)進(jìn)樣器

4個(gè)樣品支架位，可放置多達(dá)16個(gè)圓形或方形樣品槽（根據(jù)樣品尺寸、形狀不同）

特殊樣品支架

提供特殊的樣品支架，適合不同的特殊應(yīng)用，如熔融聚合物和低粘度液體，樹(shù)脂固化過(guò)程，

漿料，粉末，纖維，水平方向或加壓下的測(cè)試等    

二手耐馳導(dǎo)熱儀 LFA 467 參數(shù)

LFA 467 HT HyperFlash® - 技術(shù)參數(shù)

• 溫度范圍：RT ... > 1250°C，單一爐體

• 最大升溫速率：50 K/min

• 紅外檢測(cè)器：InSb（RT ... >1250°C，可配備液氮自動(dòng)充填設(shè)備）

• 數(shù)據(jù)采集速率：最大 2 MHz（同時(shí)適用于紅外檢測(cè)器與 pulse mapping 通道）

• 熱擴(kuò)散系數(shù)范圍：0.01 mm2/s ... 1000 mm2/s

• 導(dǎo)熱系數(shù)：< 0.1 W/(m*K) ... 2000 W/(m*K)

• pulse mapping 技術(shù)：用于有限脈沖修正，以及提高比熱測(cè)量精度

• 氣氛：惰性，氧化性，靜態(tài)與動(dòng)態(tài)

• 真空：10-4 mbar

• 樣品支架：適合圓形與方形樣品

• 氣氛控制：MFC 與 AutoVac