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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電氣 |
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主要特點(diǎn)：
?采用紅外光電倍增管，提高近紅外弱信號(hào)探測(cè)能力，是近紅外測(cè)試的 shou xuan 產(chǎn)品。
?端窗接收，接收面積大（直徑25mm），具有電、磁、光屏蔽，
?標(biāo)準(zhǔn)BNC插頭輸出信號(hào)，耐高壓BNC插頭輸入穩(wěn)定高壓
?與我公司生產(chǎn)的7IP1500A高壓穩(wěn)壓電源配合使用效果更佳
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
光電探測(cè)器
參數(shù)說(shuō)明：
- 積分響應(yīng)度：探測(cè)器所產(chǎn)生的光電流i與入射光功率P之比Ri=i/P(單位A/W)，是探測(cè)器光電轉(zhuǎn)換特性的表征。
- 光譜響應(yīng)度：探測(cè)器在波長(zhǎng)為λ的單色光照射下所產(chǎn)生的光電流iλ與入射的單色光功率Pλ之比Rλ=iλ/Pλ (單位A/W)，是探測(cè)器的光譜選擇性的表征。
- 頻率響應(yīng)度：光輻射的波長(zhǎng)保持不變，探測(cè)器的響應(yīng)隨入射光輻射的調(diào)制頻率而變化的特性，稱為探測(cè)器的頻率響應(yīng)。Rf = if /P (單位A/W)，是探測(cè)器頻率選擇性的表征。
- 響應(yīng)時(shí)間：一般來(lái)說(shuō)，探測(cè)器受到光照后其電流輸出上升到穩(wěn)定值或光照消失后其電流輸出下降到光照前的值所需要的時(shí)間是一樣的，這個(gè)時(shí)間稱為響應(yīng)時(shí)間（單位s），是探測(cè)器對(duì)入射光輻射響應(yīng)快慢的表征。
- 量子效率：對(duì)某一特定波長(zhǎng)λ，探測(cè)器在單位時(shí)間產(chǎn)生的光電子數(shù)與單位時(shí)間入射的光子數(shù)之比。ηλ=1.24 Rλ/λ，是探測(cè)器光電轉(zhuǎn)換效率的表征。
- 等效噪聲功率：探測(cè)器輸出的信號(hào)均方根值等于探測(cè)器本身的噪聲電壓均方根值時(shí)，入射到探測(cè)器上的光功率均方根值稱為等效噪聲功率，NEP=PVN/VS（單位W/rt-Hz），是探測(cè)器弱信號(hào)探測(cè)能力的表征，數(shù)值越小，說(shuō)明探測(cè)器可以探測(cè)到的信號(hào)越小，探測(cè)器性能越好。
- 探測(cè)率D比探測(cè)率D*：等效噪聲功率的倒數(shù)叫探測(cè)率，D=1/NEP（單位W-1），當(dāng)把探測(cè)率歸一為測(cè)量帶寬1Hz，探測(cè)器光敏面積1cm2時(shí)則稱為比探測(cè)率D*=（Ad·Δf）1/2/NEP（單位cm·Hz1/2/W），是探測(cè)器探測(cè)能力的表征，數(shù)值越大，探測(cè)器的探測(cè)器能力越強(qiáng)。
端窗光電倍增管探測(cè)器（PMT）- 紅外倍增管
主要特點(diǎn)：
采用紅外光電倍增管，提高近紅外弱信號(hào)探測(cè)能力，是近紅外測(cè)試的 shou xuan 產(chǎn)品。
端窗接收，接收面積大（直徑25mm），具有電、磁、光屏蔽，
標(biāo)準(zhǔn)BNC插頭輸出信號(hào)，耐高壓BNC插頭輸入穩(wěn)定高壓
與我公司生產(chǎn)的7IP1500A高壓穩(wěn)壓電源配合使用效果更佳
管室內(nèi)置E678-14C管座并焊接分壓電阻，適合放置R316、R316-02等光電倍增管（如內(nèi)置R316-02型光電倍增管，則型號(hào)為7ID102-R316-02）
可與我公司生產(chǎn)的譜儀系列、樣品室、濾光片輪等配套使用
端窗光電倍增管探測(cè)器（PMT）- 紅外倍增管
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)（Model） | 7ID102-R316 | 7ID102-R316-02 |
光譜響應(yīng)范圍Spectral Response | 400 to 1200 nm | |
大響應(yīng)波長(zhǎng)Wavelength of Maximum Response | 800nm | |
窗口材料Window Material | 硼硅玻璃 Borosilicate glass | |
陰極材料PhotocathodeMaterial | Ag-O-Cs | |
光敏面直徑Effective Area | 25mm | |
倍增級(jí)數(shù)Number of Stages | 11 | |
內(nèi)置管座Suitable Socket | E678-14C | |
陰極靈敏CathodeSensitivity at 800nm (peak) | 1.9mA/W | |
陽(yáng)極靈敏度Anode Sensitivity at 800nm (peak) | 950A/W | |
量子效率Quantum Efficiency at 1.06μm | 0.02 | 0.06 |
陽(yáng)極暗電流Anode Dark Current at 4A/lm | 1000nA | 2000nA |
陰陽(yáng)極間電壓Supply VoltageBetween Anode and Cathode | 1500V | |