產(chǎn)品簡介
詳細介紹
ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS01采用寬光譜光源結(jié)合單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。
ESS01是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的波長掃描式、高精度自動變?nèi)肷浣嵌裙庾V橢偏儀,此系列儀器波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外到遠紅外。
ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,厚層厚度、表面為粗糙度等)和光學參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k、復介電常數(shù)ε等),也可用于測量塊狀材料的光學參數(shù)。
技術(shù)特點:
極寬的光譜范圍
采用寬光譜光源、寬光譜掃描的系統(tǒng)光學設(shè)計,保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度,非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合。靈活的測量設(shè)置
儀器的多個關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定(包括:波長范圍、掃描步距、入射角度等),*地提高了測量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量級的檢測靈敏度
*的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
非常經(jīng)濟的技術(shù)方案
采用較經(jīng)濟的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量,儀器整體成本得到有效降低。
應用領(lǐng)域:
ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS01適合很大范圍的材料種類,包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領(lǐng)域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關(guān)應用涉及物理、化學、信息、環(huán)保等,典型應用包括:
- 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等);
- 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
- 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
- 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
- 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域:LOW-E玻璃等。
- 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
技術(shù)指標:
項目 | 技術(shù)指標 |
光譜范圍 | ESS01VI:370-1700nm ESS01UI:245-1700nm |
光譜分辨率(nm) | 可設(shè)置 |
入射角度 | 40°-90°自動調(diào)節(jié) |
準確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) |
膜厚測量重復性(1) | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測量重復性(1) | 0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式) |
光學結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有*的準確度) |
可測量樣品zui大尺寸 | 直徑Φ200 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍:10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié):±4° | |
樣品對準 | 光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng) |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預設(shè)項目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式(管理員、操作員) | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差