特點(diǎn)：

• 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度

  *的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。

• 秒級(jí)的快速測(cè)量

  快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號(hào)探測(cè)、自動(dòng)化的測(cè)量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測(cè)量。

• 一鍵式儀器操作

  對(duì)于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測(cè)量、建模、擬合和分析過(guò)程，豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。

應(yīng)用：

ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。

ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)合。比如：

• ES01V適合于測(cè)量電介質(zhì)材料、無(wú)定形半導(dǎo)體、聚合物等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)。
• ES01U適合于很大范圍的材料種類，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。
   

ES01系列可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：

• 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
• 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

ES01系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo)：

注：(1)測(cè)量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。