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NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)
NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:39:48 對(duì)比

進(jìn)口PLD系統(tǒng)脈沖激光沉積系統(tǒng)進(jìn)口PLD價(jià)格脈沖激光燒蝕PLA激光蒸發(fā)鍍膜
全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
NEE-4000（A）全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門(mén)閥作為預(yù)真空鎖...

型號(hào)： NEE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:38:02 對(duì)比

全自動(dòng)電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口全自動(dòng)電子束系統(tǒng)全自動(dòng)E-Baeam系統(tǒng)
NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩個(gè)腔體之間的門(mén)閥可以作為預(yù)真...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:36:03 對(duì)比

NEE-4000電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口電子束蒸發(fā)鍍膜電子束蒸發(fā)鍍膜儀電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備E-Beam
NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)
NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:34:19 對(duì)比

NTE-4000全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)
NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:31:59 對(duì)比

NTE-4000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)進(jìn)口熱蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)
NTE-3500（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

型號(hào)： NTE-3500（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:30:20 對(duì)比

NTE-3500全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)
NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:28:02 對(duì)比

NTE-3500熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)
NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺(tái)式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:26:28 對(duì)比

NTE-3000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:24:02 對(duì)比

進(jìn)口全自動(dòng)PAMOCVD進(jìn)口全自動(dòng)PEMOCVD全自動(dòng)等離子MOCVD
NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備
NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:21:32 對(duì)比

進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
NMC-3000等離子輔助MOCVD
NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:19:13 對(duì)比

進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)
NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足準(zhǔn)確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:17:16 對(duì)比

ALD等離子ALDPlasma增強(qiáng)ALD進(jìn)口原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)口PEALD系統(tǒng)
NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備
NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:12:32 對(duì)比

ALD進(jìn)口ALD進(jìn)口全自動(dòng)ALD進(jìn)口全自動(dòng)原子層沉積進(jìn)口沉積設(shè)備
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:09:13 對(duì)比

ALD全自動(dòng)ALD報(bào)價(jià)進(jìn)口全自動(dòng)ALDALD報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
原子層沉積系統(tǒng)
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

型號(hào)： NLD-3000 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:05:13 對(duì)比

進(jìn)口ALDALD價(jià)格ALD原子層沉積報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:02:56 對(duì)比

進(jìn)口全自動(dòng)ICPECVDICP PECVD
ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:00:49 對(duì)比

進(jìn)口ICPECVDICPPECVD
全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 11:58:57 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口全自動(dòng)PECVD等離子化學(xué)氣相沉
NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 11:56:36 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/11/13 11:54:45 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉

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