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          NRE-4000(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕

          參  考  價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產(chǎn)品型號

          品       牌其他品牌

          廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

          所  在  地國外

          更新時間:2023-11-13 10:57:31瀏覽次數(shù):1507次

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          產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥
          NRE-4000(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕:獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品,不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。

          反應(yīng)離子刻蝕

          NRE-4000(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕概述:

          NRE-4000是一款獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

          該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示.系統(tǒng)提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)。基于全自動的控制,該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

          NRE-4000(A)全自動反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點:

          • 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
          • 不銹鋼立柜
          • 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
          • 典型的硅刻蝕速率,400 ?/min
          • 高達12”的陽極氧化鋁RF樣品臺
          • 水冷及加熱的RF樣品臺
          • 大自偏壓
          • 淋浴頭氣流分布
          • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可以達到10-6Torr級別
          • 渦輪分子泵
          • 至多支持8MFC
          • 無繞曲氣體管路
          • 自動下游壓力控制
          • 雙刻蝕能力支持:RIE以及PE刻蝕(可選)
          • 終點監(jiān)測
          • 氣動升降頂蓋
          • 自動上下載片
          • 預(yù)真空鎖
          • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
          • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護
          • *的安全聯(lián)鎖
          • 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺,用于深硅刻蝕

          Features:

          • Aluminum or Stainless Steel Chamber
          • Stainless Steel Cabinet
          • Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
          • Typical Si etch rate, 400 ?/min
          • Up to 12“ Anodized RF Platen
          • Water Cooled and Heated RF Platen
          • Large Self Bias
          • Shower Head gas distribution
          • Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
          • Turbomolecular Pump
          • Up to eight MFCs
          • No flexing of gas lines
          • Down Stream Pressure Control
          • Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)
          • End Point Detection
          • Pneumatically Lifted Top
          • Automatic loading/unloading
          • Load Lock
          • PC Controlled with LabVIEW
          • Recipe Driven, Password Protected
          • ully Safety Interlocked 
          • Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

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