二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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產(chǎn)品型號
品 牌ACS MATERIAL/美國
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時間:2024-06-04 08:33:32瀏覽次數(shù):679次
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二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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