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Monolayer molybdenum diselenide (1H-MoSe?) flakes have been exfoliated from bulk...

Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? crystal...

Monolayer tungsten disulfide (1H-WS?) flakes have been exfoliated from bulk tung...

Monolayer tungsten diselenide (1H-WSe?) flakes have been exfoliated from bulk tu...

Substrate:Sapphire (c-cut)Quartz (Silica)TEM grids (please supply grids)Thermal ...

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to ...

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片將每個石墨烯...

德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS...

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilitie...

超高純 ZrS2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

超高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

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高純BiTe粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料低維材料在線提供眾多超高純...

超高純BiTe粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

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高純Sb2Te3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

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