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上海韋米機電設備有限公司
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E-MI-ASIR-01H/I意大利阿托斯ATOS控制軸放大版
| 參考價: | ￥ 1350 | ￥ 1280 | ￥ 1200 |
| 訂貨量: | 1件 | 5件 | 10件 |
具體成交價以合同協(xié)議為準- E-MI-ASIR-01H/I 產(chǎn)品型號
- ATOS/意大利阿托斯 品牌
- 經(jīng)銷商 廠商性質(zhì)
- 上海市 所在地
訪問次數(shù)：866更新時間：2024-09-28 13:25:41
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- 網(wǎng)址：
- www.wei-mi.com
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產(chǎn)品簡介
| 電動機功率 | 1000kW | 外形尺寸 | 2mm |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,農(nóng)業(yè),石油,能源,交通 | 重量 | 1kg |
我司主營氣動元件、液壓泵閥、電子電控類進口件：
主要涵蓋產(chǎn)品有:換向閥,氣缸等;液壓泵、液壓閥,液壓元件等；滑塊、導軌；電控模塊、驅(qū)動器；伺服電機等
主營優(yōu)勢品牌有AVENTICS，DUPLOMATIC，REXROTH，B&R，AIRTEC，Bently，ASCO，ATOS，VICKERS，Parker等
產(chǎn)品介紹
意大利阿托斯ATOS控制軸放大版
電路板上的電子元件，元件和器件還是有本質(zhì)區(qū)別的，元件就電阻，電容，電感這幾種，它們在生產(chǎn)中不改變內(nèi)部的分子結(jié)構(gòu)，也就是性能只取決于材料。器件一般都是指各種半導體，比如二極管，三極管等，它們在生產(chǎn)時要改變其中的分子結(jié)構(gòu)。比如三極管在生產(chǎn)時要使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)，這樣就改變了其中的分子結(jié)構(gòu)，所以是一種器件。下面根據(jù)題意來分別說一下幾種元件的作用。
1、電阻的作用
電阻在電路中被大量使用，作用不外乎有幾種，分流，分壓，限流等。電阻并聯(lián)分流，串聯(lián)分壓，至于限流，我們使用的發(fā)光二極管一般都會串聯(lián)一個電阻，這個電阻的作用就是限流，以免電流過大燒壞發(fā)光二極管
2、電容的作用
電容的作用就多了，有濾波，旁路，耦合，儲能等。我們在電路板上經(jīng)常見到并使用的就是濾波功能了，只要是電源電路都會用到電容濾波。不管什么作用，都是利用了電容隔直通交，通高阻低的特性。
3、電感的作用
電感在電路中使用的不如電阻和電容多，主要作用有濾波，振蕩，延遲，陷波等，不管是什么作用，都是利用了電感通直隔交，通低阻高的特性，和電容相反。
意大利阿托斯ATOS控制軸放大版
ATOS放大器型號：
E-BM-AC-011F,
E-BM-AC-011F/I
E-BM-AC-01F /RR,
E-BM-AC-01F 11 /2,
E-BM-AC-01F 11 /3,
E-BM-AC-01F/RR 11 /1,
E-BM-AC-05F 11 /3,
E-BM-AC-05F 11 /4,
E-BM-AC-05F/RR 11 /3,
E-K-11B,
E-K-32M,E-K-32P,
E-ME-AC-01F 20,
E-ME-AC-01F 20 /1,
E-ME-AC-01F 20 /2,
E-ME-AC-01F 20 /3,
E-ME-AC-01F 20 /4,
E-ME-AC-01F 20 /6,
E-ME-AC-01F 20 /A1,
E-ME-AC-01F 20 /A2,
E-ME-AC-01F 20 /A4,
E-ME-AC-01F/4R-4 20,
E-ME-AC-01F/4R-4 20 /2,
E-ME-AC-01F/4R-4 20 /3,
E-ME-AC-01F/4R-4 20 /6,
E-ME-AC-01F/I 20,
E-ME-AC-01F/I 20 /2,
E-ME-AC-01F/I 20 /4,
E-ME-AC-01F/I 20 /6,
E-ME-AC-01F/RR 20 /4,
E-ME-AC-01F/RR 20 /A2,
E-ME-AC-01F/RR-4 20,
E-ME-AC-01F/RR-4 20 /3,
E-ME-AC-01F/RR-4 20 /6,
E-ME-AC-01F-4 20 /2,
E-ME-AC-05F 20 ,
E-ME-AC-05F 20 /2,
E-ME-AC-05F 20 /3,
E-ME-AC-05F 20 /4,
E-ME-AC-05F 20 /A3,
E-ME-AC-05F/4R-4 20 /3,
E-ME-AC-05F/4R-4 20 /4,
E-ME-AC-05F/I 20,
E-ME-AC-05F/I 20 /3,
E-ME-AC-05F/I 20 /4,
E-ME-AC-05F/RR 20,
E-ME-AC-05F/RR 20 /3,
E-ME-AC-05F/RR 20 /4,
E-ME-AC-05F/RR-4 20 /3,
E-ME-AC-05F/RR-4 20 /4,
E-ME-AC-05F-4 20 /3,
E-ME-AC-05F-4 20 /4,
E-ME-K-PID,
E-ME-L-01H 40 /DL17SA,
E-ME-L-01H 40 /DL26SB,
E-ME-L-01H 40 /DL27SB,
E-ME-L-01H 40 /DL27SB,
E-ME-L-01H 40 /DL27SB,
E-ME-L-01H 40 /DL35SB,
E-ME-L-01H 40 /DL67SA,
E-ME-L-01H 40 /LQ22SA,
E-ME-L-01H 40 /LQ32SA,
E-ME-L-01H 40/DL27SB,
E-ME-L-01H 40/PCNNSA,
E-ME-L-01H/DL27SB,
放大器失調(diào)注意事項
放大器輸入失調(diào)電壓參數(shù)實測時，需要注意如下幾點：
（1）供電電源要求低紋波、低噪聲，例如電池。
（2）電路的工作溫度保證在25℃，并遠離發(fā)熱源。在電路上電工作穩(wěn)定，板卡溫度沒有變化以后進行測量。
（3）失調(diào)電壓測試誤差可能來自寄生熱電偶結(jié)點，這是由兩種不同金屬連接而形成的。例如,電路同相輸入端的電阻R3，可以匹配反相輸入路徑中的熱電偶結(jié)點。熱電偶電壓范圍通常在2~40μV/oC以上,并且隨溫度明顯變化。
（4）電阻的兩個引腳焊接在相同的金屬（PCB銅走線）會產(chǎn)生兩個大小相等、極性相反的熱電電壓。在兩者溫度*相同時，這兩個熱電電壓會相互抵消。所以，控制焊盤和PCB走線長度，減小溫度梯度可以提高測量精度。
E-ME-L-01H/I 40 /LQ32SA,
E-ME-T-01H 40 /DH04SA,
E-ME-T-01H 40 /DH05SA,
E-ME-T-01H 40 /DK14SC,
E-ME-T-01H 40 /DK15SB,
E-ME-T-01H 40 /QV0NSA,
E-ME-T-01H 40 /TK14AA,
E-ME-T-01H 40 /TK14SC,
E-ME-T-01H 40 /TQ25SA,
E-ME-T-01H 40 /TQ32SA,
E-ME-T-01H 40 /TQ42SA,
E-ME-T-01H 40/DK14SC,
E-ME-T-01H 40/DK15SB,
E-ME-T-01H 40/QV1NSB,
E-ME-T-01H 40/TQ25SA,
E-ME-T-01H/I 40 /DH04SA,
E-ME-T-01H/I 40 /DK14SC,
E-ME-T-01H/I 40 /DP25SB,
E-ME-T-01H/I 40 /DP25SC,
E-ME-T-01H/I 40 /QV0NSA,
E-ME-T-01H/I 40 /TQ25SA,
E-ME-T-01H/I 40/DK15SB,
E-ME-T-01H/I 40/QVONSA,
E-ME-T-01H/I 40/TQ25SA,
E-ME-T-05H 40 /DH07SA,
E-ME-T-05H 40 /DK17SA,
E-ME-T-05H 40 /DK17SB,
E-ME-T-05H 40 /DP27SB,
E-ME-T-05H 40/DH07SA,
E-ME-T-05H 40/DK17SB,
E-ME-T-05H 40/DP27SB,
E-ME-T-05H/I 40 /DK17SB,
E-ME-T-05H/I 40 /DP27SB,
E-ME-T-05H/I 40/DH07SA,
E-ME-T-05H/I 40/DK17SB,
E-ME-T-05H/I 40/DP27SB,
E-MI-AC-01F 11 /1,
E-MI-AC-01F 11 /2,
E-MI-AC-01F 11 /3,
E-MI-AC-01F 11 /4,
E-MI-AC-01F 11 /6,
E-MI-AC-01F/7 11 /3,
E-MI-AC-01F/7 11 /4,
E-MI-AC-01F/RR 11 /1,
E-MI-AC-01F/RR 11 /2,
E-MI-AC-01F/RR 11 /3,
E-RACK3HE21TE,
E-RACK3HE28TE,
E-RACK3HE42TE,
E-RACK3HE49TE,
放大電路（amplIFication circuit）能夠?qū)⒁粋€微弱的交流小信號（疊加在直流工作點上），通過一個裝置（核心為晶體管、場效應管），得到一個波形相似（不失真），但幅值卻大很多的交流大信號的輸出。
“共射放大電路"是經(jīng)常被使用的基本放大電路
“共射放大電路"是把發(fā)射極連接在0V的地電位上（稱為“接地"）構(gòu)成的放大電路，也稱為“發(fā)射極接地"。輸出電壓VOUT(V)取自集電極電壓VC(V)。
在通過電流實現(xiàn)電壓放大的情況下，需要選擇合適的電阻
晶體管是實現(xiàn)電流放大的基本元件，但在電子電路中通常是需要進行電壓信號放大的，因此，晶體管也被用作放大電壓的電子電路的基本元件。要想將晶體管用于電壓放大電路，在信號輸入端通過電阻將輸入電壓轉(zhuǎn)化為電流，并加載到基極，電路的輸出阻抗將晶體管的放大電流轉(zhuǎn)化為電路的放大電壓，然后在集電極輸出。
要放大信號，就要選擇適當大小的電阻，只有這樣，才能讓電子電路按照預想的計劃進行放大。
用等效電路分析放大電路的結(jié)構(gòu)
在基極，直流電壓VBIAS(V)與交流（信號）電壓源VIN(V)相串聯(lián)，基極電阻RB(Ω)連接在基極與交流（信號）電壓源之間。
基極與發(fā)射極之間的電壓VBE，我們把它等效為一個二極管，導通電壓為0.6~0.7V，并且需要從外部提供相應的電壓VBIAS。
當交流（信號）電壓源變化時，基極電阻RB上基極電流IB(A)發(fā)生變化，從而引起集電極電流IC(A)也發(fā)生變化。
IC=hFE*IB
這是電流“控制"的關系式。將基極電流IB放大hFE倍，其數(shù)值等于集電極電流IC。
集電極電流的變化通過電阻可以轉(zhuǎn)化為輸出電壓
集電極電流IC的變化會引起電阻RC(Ω)兩端電壓的變化。集電極電壓VC，正是基極的交流電壓經(jīng)過放大所得到的。
輸入信號VIN經(jīng)過晶體管放大電路，得到的放大的電壓信號為VC，VIN和VC的波形的極性是相反的。
0放大電路（amplIFication circuit）能夠?qū)⒁粋€微弱的交流小信號（疊加在直流工作點上），通過一個裝置（核心為晶體管、場效應管），得到一個波形相似（不失真），但幅值卻大很多的交流大信號的輸出。
“共射放大電路"是經(jīng)常被使用的基本放大電路
“共射放大電路"是把發(fā)射極連接在0V的地電位上（稱為“接地"）構(gòu)成的放大電路，也稱為“發(fā)射極接地"。輸出電壓VOUT(V)取自集電極電壓VC(V)。
在通過電流實現(xiàn)電壓放大的情況下，需要選擇合適的電阻
晶體管是實現(xiàn)電流放大的基本元件，但在電子電路中通常是需要進行電壓信號放大的，因此，晶體管也被用作放大電壓的電子電路的基本元件。要想將晶體管用于電壓放大電路，在信號輸入端通過電阻將輸入電壓轉(zhuǎn)化為電流，并加載到基極，電路的輸出阻抗將晶體管的放大電流轉(zhuǎn)化為電路的放大電壓，然后在集電極輸出。
要放大信號，就要選擇適當大小的電阻，只有這樣，才能讓電子電路按照預想的計劃進行放大。
利用等效電路分析放大電路的結(jié)構(gòu)
在基極，直流電壓VBIAS(V)與交流（信號）電壓源VIN(V)相串聯(lián)，基極電阻RB(Ω)連接在基極與交流（信號）電壓源之間。
基極與發(fā)射極之間的電壓VBE，我們把它等效為一個二極管，導通電壓為0.6~0.7V，并且需要從外部提供相應的電壓VBIAS。
當交流（信號）電壓源變化時，基極電阻RB上基極電流IB(A)發(fā)生變化，從而引起集電極電流IC(A)也發(fā)生變化。
IC=hFE*IB
這是電流“控制"的關系式。將基極電流IB放大hFE倍，其數(shù)值等于集電極電流IC。
集電極電流的變化通過電阻可以轉(zhuǎn)化為輸出電壓
集電極電流IC的變化會引起電阻RC(Ω)兩端電壓的變化。集電極電壓VC，正是基極的交流電壓經(jīng)過放大所得到的。
輸入信號VIN經(jīng)過晶體管放大電路，得到的放大的電壓信號為VC，VIN和VC的波形的極性是相反的。
實際的電路上可使用偏置電路
不同的晶體管（即使是一樣的型號）電流放大倍數(shù)也存在不同，同時，電流放大倍數(shù)也根據(jù)周圍溫度的變化而變化，所以這樣的電路是不穩(wěn)定的。
所以，在實際的電路中，經(jīng)常采用“偏置電路"，這樣的電路不受各種參數(shù)差異和溫度變化的影響。
練習題：通過本文所學的晶體管簡化等效電路，試著分析共射放大電路的集電極輸出時，電路的輸出阻抗ROUT的大小。
E-RACK3HE56TE,E-RACK3HE84TE,
E-RI-TE-01H 40 /DH04SA,
E-RI-TE-01H/I 40 /DH04SA,
E-RI-TE-05H 40 /DK17SB,
E-RP-AC-01F/I 10 /2,
E-RP-AC-01F/I 10 /A1,
E-RP-AC-05F 10 /4,
E-SD/DC,
E-SR/DC,
E-MI-AC-01F,
E-BM-AC-01F,
E-BM-AC-011F,
E-BM-AC-05F,
E-ME-AC,
E-RP-AC,
E-ME-T-01H,
E-ME-L-01H,
E-ME-T-21H,
E-ME-T-25H,
E-ME-K-PID,
E-ME-K-OPQ,
E-ME-Y-OFGATOS蓋板型號：LIDA-1/F,LIDA-1/WP,LIDA-2/F,LIDA-2/WP,
LIDA-3/F,LIDA-3/WP,LIDB-1/F,LIDB-1/WP,
LIDB-2/F,LIDB-2/WP,LIDB-3/F,LIDB3/WP,
LIDEW-1/F,LIDEW-1/E,LIDEW-1/WP,
LIDEW-2/F,LIDEW-2/E,LIDEW-2/WP,LIDEW-3/F,
LIDEW-3/E,LIDEW3/WP,LIDBH-1/F,
LIDBH-1/E,LIDBH-1/WP,LIDBH-2/F,LIDBH-2/E,
LIDBH-2/WP,LIDBH-3/F,LIDBH-3/E,LIDBH-3/WPATOS
前置放大器是指置于信源與放大器級之間的電路或電子設備，例如置于光盤播放機與高級音響系統(tǒng)功率放大器之間的音頻前置放大器。前置放大器是專為接收來自信源的微弱電壓信號而設計的，已接收的信號先以較小的增益放大，有時甚至在傳送到功率放大器級之前便先行加以調(diào)節(jié)或修正，如音頻前置放大器可先將信號加以均衡及進行音調(diào)控制。無論為家庭音響系統(tǒng)還是PDA設計前置放大器，都要面對一個十分頭疼的問題，即究竟應該采用哪些元件才恰當？
元件選擇原則
由于運算放大器集成電路體積小巧、因此目前許多前置放大器都采用這類運算放大器芯片。我們?yōu)橐繇懴到y(tǒng)設計前置放大器電路時，必須清楚知道如何為運算放大器選定適當?shù)募夹g規(guī)格。在設計過程中，系統(tǒng)設計工程師經(jīng)常會面臨以下問題。
1、是否有必要采用高精度的運算放大器？
輸入信號電平振幅可能會超過運算放大器的錯誤容限，這并非運算放大器所能接受。若輸入信號或共模電壓太微弱，設計師應該采用補償電壓（Vos）極低而共模抑制比（CMRR）*的高精度運算放大器。是否采用高精度運算放大器取決于系統(tǒng)設計需要達到多少倍的放大增益，增益越大，便越需要采用較高準確度的運算放大器。
2、運算放大器需要什么樣的供電電壓？
這個問題要看輸入信號的動態(tài)電壓范圍、系統(tǒng)整體供電電壓大小以及輸出要求才可決定，但不同電源的不同電源抑制比（PSRR）會影響運算放大器的準確性，其中以采用電池供電的系統(tǒng)所受影響最大。此外，功耗大小也與內(nèi)部電路的靜態(tài)電流及供電電壓有直接的關系。
3、輸出電壓是否需要滿擺幅？
低供電電壓設計通常都需要滿擺幅的輸出，以便充分利用整個動態(tài)電壓范圍，以擴大輸出信號擺幅。至于滿擺幅輸入的問題，運算放大器電路的配置會有自己的解決辦法。由于前置放大器一般都采用反相或非反相放大器配置，因此輸入無需滿擺幅，原因是共模電壓（Vcm）永遠小于輸出范圍或等于零（只有極少例外，例如設有浮動接地的單供電電壓運算放大器）。
4、增益帶寬的問題是否更令人憂慮？
是的，尤其是對于音頻前置放大器來說，這是一個非常令人憂慮的問題。由于人類聽覺只能察覺大約由20Hz至20kHz頻率范圍的聲音，因此部分工程師設計音頻系統(tǒng)時會忽略或輕視這個“范圍較窄"的帶寬。事實上，體現(xiàn)音頻器件性能的重要技術參數(shù)如低總諧波失真（THD）、快速轉(zhuǎn)換率（slew rate）以及低噪聲等都是高增益帶寬放大器所必須具備的條件。
深入了解噪聲
在設計低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲，一般來說，運算放大器的噪聲主要來自四個方面：
1、熱噪聲 （Johnson）：由于電導體內(nèi)電流的電子能量不規(guī)則波動產(chǎn)生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管（例如雙極及場效應晶體管）來說，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。
2、閃爍噪聲（低頻）：由于晶體表面不斷產(chǎn)生或整合載流子而產(chǎn)生的噪聲。在低頻范圍內(nèi)，這類閃爍以低頻噪聲的形態(tài)出現(xiàn)，一旦進入高頻范圍，這些噪聲便會變成“白噪聲"。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對電阻器及半導體會造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。
3、射擊噪聲（肖特基）：肖特基噪聲由半導體內(nèi)具有粒子特性的電流載流子所產(chǎn)生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。
4、爆玉米噪聲（popcorn frequency）：半導體的表面若受到污染便會產(chǎn)生這種噪聲，其影響長達幾毫秒至幾秒，噪聲產(chǎn)生的原因仍然未明，在正常情況下，并無一定的模式。生產(chǎn)半導體時若采用較為潔凈的工藝，會有助減少這類噪聲。
此外，由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結(jié)構(gòu)，因此晶體管結(jié)構(gòu)上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個具體例子。
1、雙極輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區(qū)射擊噪聲所造成，低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產(chǎn)生的低頻噪聲；噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產(chǎn)生。
2、CMOS 輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由高頻區(qū)通道電阻的熱噪聲及低頻區(qū)的低頻噪聲所造成，CMOS放大器的轉(zhuǎn)角頻率（corner frequency）比雙極放大器高，而寬帶噪聲也遠比雙極放大器高；噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產(chǎn)生，CMOS放大器的噪聲電流遠比雙極放大器低，但溫度每升高10（C，其噪聲電流便會增加約40%。
