四探針電阻率測定儀  貨號：ZH221 

嚴格按照硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）及標準設(shè)計制造，并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進

是用來測量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架及四探針頭組成。

本儀器的特點是主機配置雙數(shù)字表，在測量電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換，及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩(wěn)定。本機配有恒流源開關(guān)，在測量某些箔層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生，好地保護箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準確度。本機如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測量硅片時可自動進行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習(xí)庋。給測量帶來很大方便。

主機能數(shù)

測量范圍：

可測電阻率：0.0001～19.9999cm

可測方塊電阻：0.0001～1000Ωcm

恒流源：

輸出電流：DC 0.001～100mA 五檔連續(xù)可調(diào)

量程：0.001～0.01mA

0.01～0.10mA

0.10～1.0mA

1.0～10mA

10～100mA

恒流精度：檔均低于±0.05%

直流數(shù)字電壓表：

測量范圍：0～19.999mV

靈敏度：1μV

基本誤差：±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）

輸出電源：≥1000ΩM

供電電源：

AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W

使用環(huán)境：

溫度：23±2℃ 相對濕度：≤65%

較強的電場干擾，強光直接照射

重量、體積：

主機重量：7.5kg

體積：365×380×160（單位：mm 長度×寬度×高度）

四探針頭 

產(chǎn)品簡介

使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。

控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，探針的小游移率。

采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。

量具精度的硬質(zhì)合金探針，在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運動，持久耐磨。

用途

測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。

測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

探針間距

直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm

方形四探針…………… 1.00mm

直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm

兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm

指標

游移率   

       B…………… ＜0.5%

       A……………＜0.3%

       AA………… ＜0.2%

       AAA…………＜0.1%

間距偏差  

        B…………… ＜3%

        A…………… ＜2%

        AA…………  ＜2%

        AAA………… ＜1%

zui大針與導(dǎo)孔間隙：0.006mm

探針材料：硬質(zhì)合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼

探針壓力  標準壓力：6—10N（4根針總壓力）

          小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）     

          1牛頓（N）=101.97克

針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）

500V緣電阻：＞1000MΩ 

四探針手動測試架

產(chǎn)品簡介 

支架尺寸：

豎測高度：500mm

臺面：200×300mm/240×380mm

特點：

主于測棒、塊。

注：其它尺寸可按要求訂做

四探針手動測試架  

產(chǎn)品簡介 

支架尺寸：

豎測高度：120mm

臺面：200×300mm

特點：

主于測片。