GKS2P5C1H壓力變送器基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產(chǎn)生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變?。┰偌铍妷盒盘栞敵?，經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產(chǎn)出具有標準輸出信號的壓力變送器。

GKS2P5C1H壓力變送器基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產(chǎn)生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變?。┰偌铍妷盒盘栞敵?，經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產(chǎn)出具有標準輸出信號的壓力變送器。

GKS2P5C1H壓力變送器采用擴散硅芯體作為壓力檢測元件， 采用微熔技術(shù)，利用高溫玻璃將微加工硅壓敏電阻熔化在不銹鋼膜片上。

玻璃粘接工藝避免了溫度、濕度、機械疲勞和介質(zhì)對膠水和材料影響，從而提高了傳感器在工業(yè)環(huán)境中的長期穩(wěn)定性能。該系列油壓變送器也屬于擴散硅壓力變送器的一類。

GKS2P5C1H壓力變送器技術(shù)參數(shù)：

測量介質(zhì)： 氣體、液體、油等與316兼容的介質(zhì)

測量范圍：G:0~0.15～41370Kpa A：0~6.2～6890Kpa

精度等級：0.1%、0.2%、0.5%

過載能力：量程的1.5～5倍

長期穩(wěn)定性：小于0.3%FS/年

供電電源：15～36 VDC（標定電壓24VDC）

輸出信號：（4～20）mA（二/三線制）、帶Hart協(xié)議

顯示方式：指針表頭或數(shù)字顯示可選配

校準：通過調(diào)節(jié)精密電位器實現(xiàn)對零點、量程調(diào)節(jié)

工作溫度：工作溫度：（-40～80）℃； 補償溫度：（-20～70）℃ ；放大器工作在-29℃-+93℃； 敏感元件工作在-40℃-+104℃

過程連接：M20×1.5外螺紋（Ф3內(nèi)孔）或用戶注明

隔離膜片材料：電容式

外殼材料：316 不銹鋼

等級：

GKS2P5C1H壓力變送器報價，GKS2P5C1H壓力變送器廠家