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          Thorlabs光電探測器,Thorlabs推薦

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          • Thorlabs光電探測器,Thorlabs推薦
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          • 所在地 成都市
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          更新時間:2016-11-07 07:54:55瀏覽次數(shù):4337

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          產(chǎn)品簡介

          Thorlabs,納秒上升沿的DET系列探測器,APD探測器,平衡性探測器,探測器帶寬 MHz-9.5GHz;缺陷是高帶寬產(chǎn)品欠缺。

          詳細介紹

          Thorlabs 做為世界四大主要光電探測器供應(yīng)商之一,THORLABS光電探測器以質(zhì)優(yōu)價廉取勝,其推出的DET系列光電探測器更是具有超低廉的價格,產(chǎn)品系列較豐富,包含常用納秒上升沿的DET系列探測器,APD探測器,平衡性探測器,探測器帶寬 MHz-9.5GHz;缺陷是高帶寬產(chǎn)品欠缺。

          NIST可追溯校準(zhǔn)的Si光電二極管

           

          Item #

          Wavelength

          Active Area

          Rise/Fall
          Time*

          NEP**

          Dark Current

          Package

          Vbias,max

          FDS100-CAL

          350 - 1100 nm

          3.6 x 3.6 mm

          10 ns @ 20 V

          1.2x10-14 W/Hz1/2

          20 nA max (20 V)

          Ø0.36" Can

          25 V

          FDS1010-CAL

          400 - 1100 nm

          9.7 x 9.7 mm

          45 ns @ 5 V

          5.5x10-14 W/Hz1/2

          0.6 µA max (5 V)

          0.45" x 0.52" Ceramic Wafer

          20 V

          NIST可追溯校準(zhǔn)的Ge光電二極管

           

          Item #

          Wavelength

          Active Area

          Rise/Fall Time*

          NEP**

          Dark Current

          Package

          Vbias,max

          FDG03-CAL

          800 - 1800 nm

          Ø3 mm

          500 ns @ 3 V

          1.0x10-12 W/Hz1/2

          4.0 µA max (1 V)

          Ø0.36" Can

          3 V

          FDG05-CAL

          800 - 1800 nm

          Ø5 mm

          220 ns @ 5 V

          4.0x10-12 W/Hz1/2

          40 µA max (3 V)

          0.275" x 0.310" Ceramic Wafer

          5 V

          NIST可追溯校準(zhǔn)的InGaAs光電二極管

           

          Item #

          Wavelength

          Active Area

          Rise/Fall Time*

          NEP**

          Dark Current

          Package

          Vbias,max

          FGA21-CAL

          800 - 1700 nm

          Ø2 mm

          66 ns @ 0 V

          3.0x10-14 W/Hz1/2

          200 nA max (1 V)

          Ø0.36" Can

          3 V

          SM05螺紋已封裝的光電二極管,陰極接地

           

          Item #

          Detector

          Rise/Fall
          Time (ns)

          Active Area
          (Dimensions)

          NEP
          (W/Hz1/2)

          Dark
          Current

          Spectral
          Range (nm)

          Material

          Junction
          Capacitancea

          SM05PD7A

          FGAP71

          1 / 140b

          4.8 mm2 (Ø2.5 mm)

          1.3 x 10-14

          40 pAc

          150 - 550

          GaP

          1000 pF @ 0 V

          SM05PD2A

          FDS010

          1d

          0.785 mm2 (Ø1.0 mm)

          5.0 x 10-14

          0.3 nA

          200 - 1100

          Si

          7 pF @ 5 V

          SM05PD1A

          FDS100

          10d

          13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)

          1.2 x 10-14

          0.3 nA

          350 - 1100

          Si

          65 pF @ 5 V

          SM05PD4A

          FGA10

          7d

          0.8 mm2 (Ø1.0 mm)

          2.5 x 10-14

          1.1 nAe

          800 - 1700

          InGaAs

          65 pF @ 5 V

          SM05PD5A

          FGA21

          66/ 66f

          3.1 mm2 (Ø2.0 mm)

          3.0 x 10-14

          70 nAc

          800 - 1800

          InGaAs

          180 pF @ 3 V

          SM05PD6A

          FDG03

          500g

          7.1 mm2 (Ø3.0 mm)

          1.0 x 10-12

          4.0 µAc

          800 - 1800

          Ge

          3.25 nF @ 1 V

          磷化鎵探測器紫外波長

           

          Item #

          Active Area

          Wavelength
          Range

          Rise (Fall)
          Time

          NEP
          (W/Hz1/2)

          Dark Current

          Junction
          Capacitance*

          DET25K

          4.8 mm2
          (2.2 x 2.2 mm)

          150 - 550 nm

          1 ns
          (140 ns)

          1.6 x 10-14

          40 nA

          40 pF

          硅探測器-可見光波長

           

          Item #

          Active Area

          Wavelength Range

          Rise
          Time

          NEP
          (W/Hz1/2)

          Dark Current

          Junction
          Capacitance*

          DET10A

          0.8 mm2 (Ø1.0 mm)

          200 - 1100 nm

          1 ns

          1.9 x 10-14

          0.3 nA (2 nA Max)

          6 pF

          DET36A

          13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)

          350 - 1100 nm

          14 ns

          1.6 x 10-14

          0.35 nA (6 nA Max)

          40 pF

          DET100A

          75.4 mm2 (Ø9.8 mm)

          400 - 1100 nm

          43 ns

          5.5 x 10-14

          600 nA Max

          300 pF

          鍺探測器近紅外光波長

           

          Item #

          Active Area

          Wavelength
          Range

          Rise
          Time

          NEP
          (W/Hz1/2)

          Dark Current

          Junction
          Capacitance*

          DET50B

          19.6 mm2 (Ø5.0 mm)

          800 - 1800 nm

          440 ns

          4 x 10-14

          40 µA

          4000 pF (Max)

          DET30B

          7.1 mm2 (Ø3.0 mm)

          800 - 1800 nm

          <545 ns

          1.0 x 10-12

          0.8 µA
          (1.0 µA Max)

          4000 pF (Max)

          高速光纖探測器

           

          Item #

          Wavelength

          Detector

          Bandwidth

          Max Peak Power

          Rise Time

          Fall Time

          DET02AFC

          400 - 1100 nm

          Si

          1.2 GHz

          18 mW

          50 ps

          250 ps

          SV2-FC

          320 - 1100 nm

          Si

          2 GHz

          200 mW

          175 ps

          <150 ps

          DET01CFC

          900 - 1700 nm

          InGaAs

          1.2 GHz

          -

          <1 ns*

          <1 ns*

          SIR5-FC

          900 - 1650 nm

          InGaAs

          5 GHz

          20 mW

          <70 ps

          <70 ps

          Thorlabs提供一系列自由空間型和光纖耦合型放大探測器。此外,光纖轉(zhuǎn)接件可用于本公司的自由空間探測器,以獲得更多的功能和靈活性。

           

          高靈敏度雪崩光電探測器

           

          Item #

          APD110C

          APD310

          Detector Type

          InGaAs APD

          Wavelength Range

          900 - 1700 nm

          850 - 1650 nm

          Active Detector Diameter

          0.2 mm

          0.03 mm

          Transimpedance Gain

          100 kV/A
          50 kV/A with 50 Ω Termination

          -

          Max Conversion Gain

          0.9 x 106 V/W

          2.5 x 104 V/W
          @ 1 GHz, 1500 nm

          Output Bandwidth (3 dB)

          DC - 50 MHz

          1 - 1800 MHz

          Minimum NEP

          0.46 pW/√Hz

          0.4 pW/√Hz

           

          Item #

          PDA50B

          PDA30B

           

           

          Element Photo

          Ge

          Ge

          Wavelength Range

          800 - 1800 nm

          800 - 1800 nm

          Detector Size

          Ø5.0 mm

          Ø3.0 mm

          Gain

          8 x 10 dB Steps

          8 x 10 dB Steps

          Bandwidth Range

          DC - 400 kHz

          DC - 460 kHz

          NEP (W/Hz1/2)

          5.7x10-12 - 1.4x10-10

          1.95x10-12 - 4.44x10-11

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