C3N4/TiN復合硬薄膜/氮化碳-氮化鈦復合膜
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C3N4/TiN復合硬薄膜/氮化碳-氮化鈦復合膜
產品:C3N4/TiN復合硬薄膜/氮化碳-氮化鈦復合膜/復合硬相氮化碳(α/β-C3N4)/氮化碳改性二氧化鈦親水多孔薄膜。
摘要:
采用中頻磁控濺射和多弧輔助中頻磁控濺射技術在硅片、不銹鋼、速鋼以及硬質合金等基體材料上制備C_3N_4涂層和C_3N_4/TiN納米復合涂層,研究了C_3N_4涂層和C_3N_4/TiN納米復合涂層的結構、物理性能、摩擦磨損、抗水蝕性能,相關基礎研究成果在汽輪機末級葉片上得到了應用。主要結論如下:
(1)采用中頻磁控濺射技術在硅片上純C_3N_4薄膜,X射線衍射分析表明薄膜中含有α和β兩種結構的C_3N_4相,其中β相是C_3N_4薄膜的主要結晶相。光電子能譜和傅立葉紅外光譜分析表明,薄膜中的C、N原子比值在1.06~1.24之間,C原子主要以sp~2和sp~3兩種雜化狀態(tài)存在,C、N原子以C-N鍵為主要鍵合方式。
(2)研制了多弧-中頻磁控濺射,在2Crl3不銹鋼和速鋼基體上沉積C_3N4/TiN納米復合涂層,所制備涂層硬度40GPa,屬于硬涂層。AFM和SEM分析顯示多弧-中頻磁控濺射制備的C_3N_4/TiN涂層表面狀況、涂層與金屬襯底結合牢固。
(3)通過對涂層的性能測試及熱沖擊試驗和摩擦磨損性能測試,發(fā)現(xiàn)涂層硬度和附著力受基體材料影響。在涂層的熱沖擊試驗中,2Crl3不銹鋼基體上C_3N_4/TiN復合涂層抗熱沖擊性能,在400℃以下,涂層幾乎沒有變化。在550℃時,發(fā)現(xiàn)在涂層的表面出現(xiàn)氧化物。摩擦磨損試驗發(fā)現(xiàn)隨著載荷的增加,摩擦系數(shù)有逐步增加的傾向,同時涂層和對偶球的磨損也逐步增加。C_3N_4/TiN復合涂層具有的抗摩擦磨損性能。
(4)在探討汽輪機末級葉片水蝕失效機理的基礎上,研制了水蝕試驗裝置并對設備的基本參數(shù)進行了測試。不銹鋼基體、鉻鑄鐵、鈷基合金的水蝕速率和水蝕破壞機理研究表明,研制的設備能對水蝕狀況進行的,設備具有、性能穩(wěn)定、等。
(5)鉻鑄鐵、鈷基合金和涂C_3N_4/TiN涂層的2Crl3不銹鋼等不同材料的抗水蝕性能對比試驗發(fā)現(xiàn),2Crl3不銹鋼基體上C_3N_4/TiN涂層的抗水蝕性能比2Crl3不銹鋼基體提了將近50倍,優(yōu)于目前外使用的鈷基合金,比鈷基合金提了3倍。
(6)2Crl3不銹鋼基體上C_3N_4/TiN涂層的水蝕破壞形貌研究發(fā)現(xiàn),當水滴撞擊次數(shù)一定的次數(shù)后,在涂層的表面,裂紋從應力集中區(qū)域萌生,隨著水滴撞擊次數(shù)的增加而擴展,后導致表面一定數(shù)量的涂層脆性斷裂,當表面涂層脆斷剝落之后,水滴直接作用在涂層次表面上,涂層的斷裂方式為逐層脆斷方式。
(7)上述研究成果在電廠50MW汽輪機2Crl3不銹鋼末級葉片上得到了應用,C3N4/TiN復合涂層抗水蝕性能。
產品供應列表:
聚多巴胺修飾的黑磷納米片
黑磷納米片和半解開碳納米纖維復合材料
黑磷納米片負載二硫化鉬納米片
黑磷石墨烯復合納米造影劑
黑磷量子點/凹凸棒納米復合BPQD/ATP
黑磷量子點/碳化鈦納米片復合材料
黑磷量子點/g-C3N4復合光催化劑
帶隙可調的黑磷量子點光催化劑
分子聚合物(PLGA)包裹黑磷量子點(BPQDs)的核殼結構納米球(BPQDs/PLGA)
二維黑磷納米片的液相剝離
黑磷量子點(BP QDs)
黑磷納米片表面修飾納米金
黑磷納米片表面修飾納米鉑
黑磷量子點(BPQDs)脂質體
納米黑磷/三維石墨烯復合材料
氧化錫納米管負載黑磷量子點
人血清白蛋白修飾黑磷量子點
黑磷納米修飾了特異性靶向多肽
二維層狀金屬碲化物[Mn(en)3]Ag2Sn2Te8
二維二碲化鉬(Mo Te2)材料
碲(Te)一維納米材料
碲化鉍(Bi2 Te3)-碳纖維水泥基材料
碲化銻(Sb2Te3)納米材料
納米碲碳復合物(nano-Te@C)
二維碲化鉍晶體材料
多孔碳/碲(RHPC/Te)復合材料
碲(Te)納米粉體顆粒
Cd-Te基熱電材料
一維納米材料Te納米管
窄帶半導體材料碲化鉛(PbTe)
二維Te/SnS2納米片的光子二管
二維過渡金屬硒化物與碲化物量子點
金屬三組元層狀碲化物TaNi2Te2
Nb/Ta層狀碲化物
金屬碲化物[Ga(en)3]In3Te7
石墨烯基硒和碲納米復合物
薄二維納米材料(Bi&Bi2Te3)
二維碲化鉍晶體材料
三組元碲化物CrNb2Te4
碲化鉛基塊體納米材料
碲化物(RuTe2-OsTe2)
TI10-xLnxTe6碲化物
硒碲化合物半導體納米材料
二元過渡金屬硫族化合物碲化鉬(MoTe2)
,、,提供核磁,HPLC,LCMS,GC圖譜 ,,如遇任
何質量問題,
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