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應(yīng)用領(lǐng)域:環(huán)保,化工,電子

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更新時(shí)間：2024-07-10 13:55:49瀏覽次數(shù)：707評(píng)價(jià)

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應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,電子

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學(xué)物理蝕刻製程，也是半導(dǎo)體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質(zhì)的薄膜。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
基礎(chǔ)電漿研究。 III-V族化合物半導(dǎo)體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。 Si，SiO2，SiNx 蝕刻。微機(jī)電系統(tǒng)。金屬與矽的蝕刻。	陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達(dá)12寸晶圓。單載片或多載片。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。穩(wěn)定的溫度控制，將載盤(pán)加熱至400°C或冷卻至-20°C。	渦輪分子幫浦。蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)（OES，激光）相容性。