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中美合資合肥科晶材料技術有限公司
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貨物所在地：安徽合肥市
更新時間：2024-06-28 21:00:04
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產品簡介詳細介紹
產品名稱：
磷化鎵(GaP)晶體基片
技術參數：
晶體結構：
立方 a =5.4505 ?
生長方法：
提拉法
密度：
4.13 g/cm3
熔點：
1480 oC
熱膨脹系數：
5.3 x10-6 / oC
摻雜物質：
摻S 不摻雜
方向：
<111>or<100> <100>or<111>
類型：
N N
熱傳導率：
2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3
電阻率W.cm
~0.03 ~0.3
EPD (cm-2 )
< 3x105 < 3x105
產品規(guī)格：
晶體方向：<111>，<100>±0.5o ；
常規(guī)尺寸：dia2"x0.35mm ；dia2"x0.43mm；dia3"x0.3mm ；
標準包裝：
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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